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FQD5N60CTM

更新時間:2025-05-20 13:05:43

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FQD5N60CTM外觀圖

FQD5N60CTM

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FQD5N60CTM 概述

FQD5N60CTM是飛兆半導體（Fairchild Semiconductor）生產的一款N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-251封裝。該MOSFET具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻開關電源、直流-直流轉換器等高效能電源管理應用。其最大漏源電壓(VDS)為600V，連續(xù)漏極電流(ID)在25°C時為4.8A。由于具備高耐壓能力和良好的熱穩(wěn)定性，F(xiàn)QD5N60CTM也常用于照明系統(tǒng)中的LED驅動器以及工業(yè)控制設備中。在電路設計時需注意其柵極驅動電壓應保持在規(guī)定范圍內以確保正常工作，并且合理布局PCB以優(yōu)化散熱效果。

FQD5N60CTM 規(guī)格參數(shù)

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.5 歐姆 @ 1.4A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
19nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
670pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FQD5N60CTM-NDFQD5N60CTMTR

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