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FQP45N15V2

更新時間:2025-07-04 04:20:25

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FQP45N15V2外觀圖

FQP45N15V2

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 150V 45A TO-220

封裝:TO-220-3

FQP45N15V2 概述

FQP45N15V2是安森美半導體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用D2PAK封裝，具有低導通電阻特性，典型Rds(on)值為0.065Ω（Vgs=10V時）。它適用于高效直流-直流轉換器、電機驅(qū)動以及電源管理等需要高功率密度和效率的應用場景。在電機驅(qū)動應用中，使用該MOSFET可以減少開關損耗并提高系統(tǒng)整體效率。對于電源管理設計，建議注意柵極驅(qū)動電路的設計以確保快速開關切換。其最大漏源電壓(Vds)為150V，連續(xù)漏極電流(Id)可達45A，適合于高壓大電流場合。工作溫度范圍從-55°C到+175°C，適應惡劣環(huán)境條件。在PCB布局時應考慮良好的散熱設計，以保證穩(wěn)定運行。

FQP45N15V2 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
45A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
40 毫歐 @ 22.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
94nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3030pF @ 25V
功率 - 最大
220W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件

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