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FQPF15P12

更新時間:2025-06-15 01:29:05

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說明
詢價

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FQPF15P12外觀圖

FQPF15P12

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 120V 15A TO-220F

封裝:TO-220-3 整包

FQPF15P12 概述

FQPF15P12是由Fairchild Semiconductor（現已被ON Semiconductor收購）生產的功率MOSFET。它采用TO-220封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效能電源管理應用。其最大漏源電壓為120V，在柵極驅動電壓為10V時，典型導通電阻僅為0.14歐姆。該器件設計用于直流-直流轉換器、不間斷電源系統(tǒng)、電機控制等需要高效率和可靠性的場合。在電路設計中，需注意柵極驅動電壓的穩(wěn)定性以確保最佳性能，并且在布局PCB時盡量減小走線電感，以減少開關損耗。對于熱管理方面，應合理設計散熱器或利用自然冷卻方式保證器件工作溫度處于安全范圍內。

FQPF15P12 規(guī)格參數

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
120V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
15A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
200 毫歐 @ 7.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
38nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1100pF @ 25V
功率 - 最大
41W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220F
包裝
管件

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FT2232D

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