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IPB080N03L G

更新時間:2025-05-23 09:53:10

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IPB080N03L G 概述

IPB080N03L G是由英飛凌科技公司生產的N溝道MOSFET。該器件采用先進的TrenchFET技術制造，具有極低的導通電阻和柵極電荷，這使得它在開關應用中表現(xiàn)出色。其最大漏源電壓為30V，適用于高效直流-直流轉換器、負載點調節(jié)器及同步整流等場合。由于其出色的熱性能與低損耗特性，在筆記本電腦、電信設備以及工業(yè)控制等領域有著廣泛應用。使用時應注意避免超過最大電壓電流額定值，并確保良好的散熱條件以維持穩(wěn)定工作狀態(tài)。對于高頻開關電源設計，推薦采用低電感布局并合理選擇柵極驅動電阻來優(yōu)化開關速度。

IPB080N03L G 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據列表
IPB,IPP080N03L G
標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
50A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
8 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
18nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1900pF @ 15V
功率 - 最大
47W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
PG-TO263-2
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IPB080N03L G-NDSP000304104

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