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IRLR8729PBF

更新時間:2025-07-05 01:14:57

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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

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IRLR8729PBF外觀圖

IRLR8729PBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

IRLR8729PBF 概述

IRLR8729PBF是由Infineon Technologies生產的N溝道MOSFET。該器件采用PQFN 3x3封裝，適合表面貼裝工藝。它具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效功率轉換應用。典型應用場景包括直流-直流轉換器、負載開關、電池管理電路等。在筆記本電腦、智能手機和平板電腦等便攜式設備中廣泛使用，用于提高電源效率和減少功耗。在應用時應注意其最大漏源電壓為30V，連續(xù)漏極電流為60A。設計PCB布局時需確保良好的散熱路徑以維持穩(wěn)定工作溫度。建議在柵極串聯(lián)小電阻以抑制振蕩，并在源極和柵極之間添加適當電容以提高抗干擾能力。這款MOSFET能幫助實現(xiàn)緊湊高效的電源管理系統(tǒng)設計。

IRLR8729PBF 規(guī)格參數

標準包裝
75
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
58A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
8.9 毫歐 @ 25A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.35V @ 25µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
16nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1350pF @ 15V
功率 - 最大
55W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
管件

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IRLR8729PBF
IRLR010NTRR
IRLR014
IRLR014A
IRLR014ATF
IRLR014N
IRLR014NPBF
IRF540

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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