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IXFN38N100Q2

更新時間:2025-07-04 04:16:33

供應商
產(chǎn)品型號
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廠商
封裝/批號
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詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
IXFN38N100Q2
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IXFN38N100Q2外觀圖

IXFN38N100Q2

IXYS FET

MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227

封裝:SOT-227-4，miniBLOC

IXFN38N100Q2 概述

IXFN38N100Q2是由IXYS公司生產(chǎn)的高性能MOSFET。該器件采用先進的高壓技術，具有低導通電阻和高開關速度特性，適用于高頻開關電源、不間斷電源（UPS）、電機驅(qū)動等應用場合。其耐壓高達1000V，連續(xù)漏極電流可達38A，確保在高壓大功率場景下的穩(wěn)定工作。使用時需注意散熱設計，建議結(jié)合實際功率損耗選擇合適的散熱器，并合理布局PCB以降低寄生參數(shù)影響。在電路設計中，可參考官方推薦的柵極驅(qū)動電路，保證器件可靠開啟和關斷。

IXFN38N100Q2 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
10
類別
半導體模塊
家庭
FET
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
38A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
250 毫歐 @ 19A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
250nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
7200pF @ 25V
功率 - 最大
890W
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B
包裝
管件

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IRF530N

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