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MJD122G

更新時間:2025-06-01 15:57:34

供應商
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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MJD122G外觀圖

MJD122G

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS DARL NPN 8A 100V DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

MJD122G 概述

MJD122G是ON Semiconductor公司生產(chǎn)的一款達林頓晶體管，采用TO-220封裝形式。該器件包含一個NPN型達林頓對，具有高電流增益特性，適用于需要大電流放大和驅動的場合。典型應用場景包括電機驅動、繼電器驅動、燈控開關等需要較大負載電流的電路中。由于其內部集成有兩個晶體管以形成達林頓結構，因此能夠提供非常高的電流增益，使得小信號就能控制較大的負載電流。在實際應用中應注意散熱設計，因為MJD122G在大電流工作時可能會產(chǎn)生較多熱量。建議在PCB布局時考慮足夠的銅箔面積用于散熱，并根據(jù)具體工作條件選擇合適的散熱器。對于感性負載如電機或繼電器，在其兩端并聯(lián)續(xù)流二極管可防止反向電動勢損壞晶體管。

MJD122G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
75
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
NPN - 達林頓
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
8A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
100V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
4V @ 80mA，8A
電流 - 集電極截止（最大）
10µA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
1000 @ 4A，4V
功率 - 最大
1.75W
頻率 - 轉換
4MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
DPAK-3
包裝
管件
其它名稱
MJD122G-NDMJD122GOS

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MJD112-1G
MJD112G
MJD112RLG
MJD112T4
MJD112-T4
MAX3485EESA

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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