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MJD41CT4G

更新時間:2025-07-03 14:07:25

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市華普冠科電子科技有限公
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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假一罰十，原裝進口現(xiàn)貨供應，只做原裝

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全新原裝現(xiàn)貨，長期供應，免費送樣

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深圳市博偉奇電子有限公司
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高品質優(yōu)選好芯

深圳市一芯集成科技有限公司
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深圳市堯豐發(fā)科技有限公司
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MJD41CT4G外觀圖

MJD41CT4G

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS PWR NPN 6A 100V DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

MJD41CT4G 概述

MJD41CT4G是安森美半導體生產(chǎn)的一款NPN功率晶體管，采用TO-252封裝，適用于表面貼裝工藝。該器件的最大集電極-發(fā)射極電壓為80V，適合中等功率應用。MJD41CT4G具有較高的電流處理能力，最大集電極電流可達3A，因此在需要較高電流驅動的電路中表現(xiàn)出色。其典型應用場景包括電機驅動、繼電器驅動以及各種開關和放大電路。在實際應用中，為了確保穩(wěn)定工作，建議在設計時考慮適當?shù)纳岽胧貏e是在高負載條件下。對于電機驅動應用，可以在集電極和發(fā)射極之間并聯(lián)一個反向二極管以保護晶體管免受感應電動勢的影響。此外，在PCB布局時，應盡量縮短引線長度，以減少寄生電感對性能的影響。

MJD41CT4G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
6A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
100V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
1.5V @ 600mA，6A
電流 - 集電極截止（最大）
50µA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
15 @ 3A，4V
功率 - 最大
1.75W
頻率 - 轉換
3MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
DPAK-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
MJD41CT4GOSMJD41CT4GOS-NDMJD41CT4GOSTR

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MJD41C
MJD41C1
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MJD41CTF
MJD42
MX25L8006EM2I-12G

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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