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MLD1N06CLT4G

更新時間:2025-06-14 05:31:45

供應商
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
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MLD1N06CLT4G 概述

MLN06CLT4G是安森美半導體生產的一款N溝道MOSFET。它采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，適用于高效功率轉換應用。該器件最大漏源電壓為60V，在柵極驅動電壓為10V時，典型導通電阻僅為0.028歐姆，有助于減少導通損耗。此款MOSFET廣泛應用于直流-直流轉換器、電源管理模塊以及電機控制電路中。在電機驅動應用中，其快速開關速度可提高系統(tǒng)效率并減小熱量產生。對于電源設計者來說，使用該MOSFET能夠實現(xiàn)緊湊高效的電源解決方案。在實際應用中應注意正確選擇柵極電阻以優(yōu)化開關性能，并確保散熱措施得當以維持長期可靠性。

MLD1N06CLT4G 規(guī)格參數(shù)

制造商
ON Semiconductor
產品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
59 V
閘/源擊穿電壓
+/- 10 V
漏極連續(xù)電流
1 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.75 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DPAK
封裝
Reel
下降時間
3 ns
正向跨導 gFS（最大值/最小值）
1.4 S
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
40 W
上升時間
4 ns
工廠包裝數(shù)量
2500
典型關閉延遲時間
4 ns

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