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NTP2955

更新時間:2025-07-04 13:13:03

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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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藍(lán)界科技（深圳）有限公司
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深圳市科鑫美電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨，長期供應(yīng)

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NTP2955外觀圖

NTP2955

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB

封裝:TO-220-3

NTP2955 概述

NTP2955是由Nexperia公司生產(chǎn)的一款P溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用SOT-223封裝，具有低導(dǎo)通電阻特性，在柵源電壓為 -4.5V時，最大導(dǎo)通電阻僅為0.06Ω，適用于高效功率開關(guān)應(yīng)用。其工作電壓范圍是 -20V至-12V，可滿足多種低壓電路需求。常見應(yīng)用場景包括負(fù)載開關(guān)、電源管理以及DC - DC轉(zhuǎn)換器等便攜式設(shè)備領(lǐng)域。在實際應(yīng)用中，使用NTP2955作為負(fù)載開關(guān)時，需注意其最大漏極電流限制，避免因過流損壞器件。同時，為確保可靠驅(qū)動，柵極驅(qū)動電壓應(yīng)滿足開啟電壓要求，建議根據(jù)具體電路設(shè)計選擇合適的驅(qū)動電路。如果是在DC - DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中，要合理布局PCB以減小寄生電感對電路性能的影響。

NTP2955 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
196 毫歐 @ 12A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
14nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
700pF @ 25V
功率 - 最大
2.4W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220AB
包裝
管件

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