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NTP65N02RG

更新時間:2025-07-13 03:58:58

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深圳市誠研翔科技有限公司
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NTP65N02RG外觀圖

NTP65N02RG

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 25V 7.6A TO220AB

封裝:TO-220-3

NTP65N02RG 概述

NTP65N02RG是安森美半導體生產的一款N溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點。其最大漏源電壓為20V，在10V柵極驅動下的典型導通電阻僅為3.5mΩ，適用于高效直流-直流轉換器、負載點調節(jié)器以及電池供電設備中的電源管理應用。由于其優(yōu)秀的導電性能，它也適合用于需要快速切換的電機驅動電路中。在設計時需要注意散熱布局以確保穩(wěn)定工作，并且選擇合適的柵極驅動電阻來優(yōu)化開關特性。

NTP65N02RG 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
7.6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
10.5 毫歐 @ 20A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
9.5nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1330pF @ 20V
功率 - 最大
1.04W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
NTP65N02RGOS

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