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NZT751

更新時間:2025-06-17 08:28:25

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NZT751外觀圖

NZT751

Fairchild Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS PNP CR DVR 60V 4A SOT223

封裝:TO-261-4，TO-261AA

NZT751 概述

NZT751是安森美半導體(ON Semiconductor)生產的一款高性能N溝道MOSFET。該器件采用先進的溝槽技術制造，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻開關電源、DC-DC轉換器以及負載開關等應用場合。在電路設計中，NZT751通常用于需要高效能功率管理的場景。其最大漏源電壓(VDS)可達30V，連續(xù)漏極電流(ID)為4.2A（在室溫條件下），使其成為消費電子設備中理想的功率控制元件。該MOSFET還具備優(yōu)異的熱性能，能夠有效減少功耗并提高系統(tǒng)效率。使用時應注意合理選擇柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度，避免過高的dv/dt引起EMI問題。同時，在PCB布局上應盡量減小源極電感，以充分發(fā)揮其高速開關的優(yōu)勢。對于便攜式設備或空間受限的應用，NZT751的小型封裝形式也提供了靈活的設計選項。

NZT751 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
4A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
60V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
500mV @ 200mA，2A
電流 - 集電極截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
40 @ 2A，2V
功率 - 最大
1.2W
頻率 - 轉換
75MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-261-4，TO-261AA
供應商設備封裝
SOT-223-4
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NZT751-NDNZT751TR

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