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RFD3055

更新時間:2025-06-14 08:28:59

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RFD3055外觀圖

RFD3055

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 60V 12A IPAK

封裝:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

RFD3055 概述

RFD3055是Rohm半導體公司生產的一款N溝道增強型MOSFET。它采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，在小體積內實現(xiàn)了高效能的功率轉換。其柵極電荷較低，有助于降低開關損耗，適合高頻開關應用。該MOSFET常用于電源管理電路中，如DC-DC轉換器、電池充電器以及電機驅動電路。在電機驅動應用中，可以有效提高效率并減少發(fā)熱。在使用時需注意其最大漏源電壓為55V，連續(xù)漏極電流會隨溫度變化而有所不同，設計時應充分考慮散熱以確保器件工作在安全范圍內。在PCB布局上，盡量縮短源極和柵極走線長度以減少寄生電感影響。

RFD3055 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
75
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
12A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
150 毫歐 @ 12A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
23nC @ 20V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
300pF @ 25V
功率 - 最大
53W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
供應商設備封裝
I-Pak
包裝
管件

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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