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STP11NM60FDFP

更新時間:2025-06-15 18:46:25

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詢價

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STP11NM60FDFP外觀圖

STP11NM60FDFP

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP

封裝:TO-220-3 整包

STP11NM60FDFP 概述

STP11NM60FDFP是意法半導體生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件設計用于高壓應用，最大漏源電壓Vds為600V，連續(xù)漏極電流Id可達11A。其采用了先進的MDmesh V技術，實現(xiàn)了低導通電阻Rds(on)，有助于減少導通損耗并提高效率。這款MOSFET適用于開關電源、電機驅動、不間斷電源（UPS）、逆變器等多種工業(yè)和消費類電子設備。在實際應用中，建議將其用于硬開關和軟開關拓撲結構中的初級側開關管。由于其較高的擊穿電壓和快速開關特性，在電路設計時需注意適當的柵極驅動電路設計以確保可靠開關，并使用足夠的散熱措施以維持穩(wěn)定工作溫度。此外，在PCB布局時應盡量縮短高頻節(jié)點間的走線長度以減少寄生電感的影響。

STP11NM60FDFP 規(guī)格參數

其它有關文件
STP11NM60FD View All Specifications
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
FDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
11A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
450 毫歐 @ 5.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
40nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
900pF @ 25V
功率 - 最大
35W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件
其它名稱
497-5392-5STP11NM60FDFP-ND

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