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STP200NF04

更新時間:2025-06-18 12:33:03

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STP200NF04外觀圖

STP200NF04

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 40V 120A TO-220

封裝:TO-220-3

STP200NF04 概述

STP200NF04是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。它具有低導通電阻和高電流處理能力，適用于多種電力電子應用。該器件的最大漏源電壓為40V，在25℃時連續(xù)漏極電流可達200A，使其成為高效電源轉換器、電機驅動器以及電池管理系統(tǒng)中的理想開關元件。其封裝形式為TO-220，便于散熱和安裝。在實際應用中，建議在柵極串聯(lián)一個小電阻以抑制振蕩，并確保良好的散熱設計以維持器件的性能和可靠性。此MOSFET也常用于同步整流電路中，能夠顯著提高系統(tǒng)效率。

STP200NF04 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STP200NF04 View All Specifications
標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
120A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3.7 毫歐 @ 90A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
210nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
5100pF @ 25V
功率 - 最大
310W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
497-3524-5

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