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80000
SOD923/19+
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ESD9B5.0ST5G
TVS DIODE 5VWM SOD923
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量將因此增加。在以下的討論中,鉗位電壓被定義為第二峰值的最大電壓。 幾種保護(hù)二極管的比較 為了進(jìn)行公平的比較,所選元器件應(yīng)當(dāng)有相似的封裝尺寸和參數(shù)指標(biāo)。用來(lái)比較的是三只esd保護(hù)二極管,當(dāng)對(duì)它們的電特性進(jìn)行比較時(shí),認(rèn)為這些器件可以彼此互換。這些器件都是雙向的esd保護(hù)器件,具有同樣的擊穿電壓(6.8 v)、電容(15 pf)和封裝外形(1.0 × 0.6 × 0.4 mm)。這里所選擇的產(chǎn)品分別是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手1的rsb6.8cs、競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手2的pg05dbtfc和安森美半導(dǎo)體的esd9b5.0st5g。 當(dāng)對(duì)以上器件的dc性能進(jìn)行比較的時(shí)候,結(jié)果看起來(lái)似乎是相同的(參見(jiàn)圖2所示曲線)。此外,它們都聲稱(chēng)符合iec61000-4-2第4級(jí)標(biāo)準(zhǔn),這就意味著它們將都經(jīng)受住高達(dá)8 kv接觸電壓的esd沖擊。確保保護(hù)敏感ic的esd保護(hù)器件至關(guān)重要的性能不是dc性能; 盡管器件符合iec61000-4-2的第4級(jí)標(biāo)準(zhǔn)是重要,但更重要的是保護(hù)ic。為確保在esd事件期間ic沒(méi)有被損壞,保護(hù)二極管必須把esd電壓鉗位至足夠低的值,使ic不會(huì)損壞。 圖2:三種esd器件的dc特性對(duì)比。
間較長(zhǎng),被測(cè)ic承受的能量將因此增加。在以下的討論中,箝位電壓被定義為第二峰值的最大電壓。 幾種保護(hù)二極管的比較 為了進(jìn)行公平的比較,所選元器件應(yīng)當(dāng)有相似的封裝尺寸和參數(shù)指標(biāo)。用來(lái)比較的是三只esd保護(hù)二極管,當(dāng)對(duì)它們的電特性進(jìn)行比較時(shí),認(rèn)為這些器件可以彼此互換。這些器件都是雙向的esd保護(hù)器件,具有同樣的擊穿電壓(6.8v)、電容(15pf)和封裝外形(1.0×0.6×0.4 mm)。這里所選擇的產(chǎn)品分別是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手1的rsb6.8cs、競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手2的pg05dbtfc和安森美半導(dǎo)體的esd9b5.0st5g。 當(dāng)對(duì)以上器件的dc性能進(jìn)行比較的時(shí)候,結(jié)果看起來(lái)似乎是相同的(參見(jiàn)圖2所示曲線)。此外,它們都聲稱(chēng)符合iec61000-4-2第4級(jí)標(biāo)準(zhǔn),這就意味著它們將都經(jīng)受住高達(dá)8kv接觸電壓的esd沖擊。 圖2:三種esd器件的dc特性對(duì)比。 為了比較每個(gè)器件的箝位性能,利用示波器來(lái)抓取esd發(fā)生期間的電壓波形。利用完全相同的測(cè)試條件,對(duì)上述器件進(jìn)行并排測(cè)試。圖3中顯示出每個(gè)二極管對(duì)正/負(fù)esd脈沖的響應(yīng)曲線。所用的輸入脈沖為iec61000-4-2 level 4的標(biāo)準(zhǔn)接觸電壓