帶有此標記的料號：
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2. 供應商承諾此料號是“現(xiàn)貨” ，如果無貨或數(shù)量嚴重不足(實際數(shù)量不到顯示數(shù)量一半)，投訴成立獎勵您500元。
2000
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29650
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FDD4141-F085
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FDD4141
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TO252/23
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FDD4141-F085
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FDD4141
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FDD4141
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FDD4141
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高價回收電子料
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88
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原裝
FDD4141
9200
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只做原裝更多數(shù)量在途訂單
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TO252/23
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FDD4141
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優(yōu)勢產品大量庫存原裝現(xiàn)貨
FDD4141
P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
FDD4141PDF下載
FDD4141_F085
Fairchild
FDD4141_F085PDF下載
飛兆半導體公司(fairchild semiconductor)推出40v p溝道powertrench mosfet產品fdd4141，為功率工程師提供快速開關的解決方案，可將開關損耗減少達一半。fdd4141具有低導通阻抗(rds(on))，與目前的mosfet比較能降低柵極電荷(qg)達50%，可讓便攜、計算、消費和家庭娛樂產品中的異步降壓、電池充電和逆變器開關等應用，以更高的速度進行切換，而不會產生過多的熱量。快速開關是步降轉換器等開關速度需要達到數(shù)百khz應用的必備條件。盡管其它mosfet解決方案亦可在較高頻率下進行切換，但這些解決方案的柵極電荷較高，造成發(fā)熱更多、效率降低。 fdd4141采用飛兆半導體專有的powertrench工藝技術制造，可將負載電流更高的晶圓封裝在尺寸更小的封裝中。powertrench技術將n溝道m(xù)osfet的特性運用在p溝道m(xù)osfet中，使到p溝道m(xù)osfet具備n溝道m(xù)osfet的性能，并表現(xiàn)出更低的rds (on)和更低的柵極電荷，繼而更高的效率，同時還能夠在數(shù)百khz的高頻下切換，以達致步降轉換器的開關要求。 fdd4141是飛兆
飛兆半導體公司 (fairchild semiconductor) 推出 40v p 溝道 powertrench mosfet 產品 fdd4141，為功率工程師提供快速開關的解決方案，可將開關損耗減少達一半。fdd4141 具有低導通阻抗 (rds(on))，與目前的 mosfet 比較能降低柵極電荷(qg) 達 50%，可讓便攜、計算、消費和家庭娛樂產品中的異步降壓、電池充電和逆變器開關等應用，以更高的速度進行切換，而不會產生過多的熱量。快速開關是步降轉換器等開關速度需要達到數(shù)百 khz 應用的必備條件。盡管其它 mosfet 解決方案亦可在較高頻率下進行切換，惟這些解決方案的柵極電荷較高，造成發(fā)熱更多、效率降低。 fdd4141采用飛兆半導體專有的 powertrench 工藝技術制造，可將負載電流更高的晶圓封裝在尺寸更小的封裝中。powertrench 技術將 n 溝道 mosfet 的特性運用在 p 溝道 mosfet 中，使到 p 溝道 mosfet 具備 n 溝道 mosfet 的性能，并表現(xiàn)出更低的 rds (on) 和更低的柵極電荷，繼而更高的效率，同時還能夠在數(shù)百 k
飛兆半導體公司(fairchild semiconductor)推出40v p溝道 powertrench mosfet 產品 fdd4141，為功率工程師提供快速開關的解決方案，可將開關損耗減少達一半。fdd4141 具有低導通阻抗 (rds(on))，與目前的 mosfet 比較能降低柵極電荷(qg) 達 50%，可讓便攜、計算、消費和家庭娛樂產品中的異步降壓、電池充電和逆變器開關等應用，以更高的速度進行切換，而不會產生過多的熱量。快速開關是步降轉換器等開關速度需要達到數(shù)百 khz 應用的必備條件。盡管其它 mosfet 解決方案亦可在較高頻率下進行切換，但這些解決方案的柵極電荷較高，造成發(fā)熱更多、效率降低。 fdd4141采用飛兆半導體專有的 powertrench 工藝技術制造，可將負載電流更高的晶圓封裝在尺寸更小的封裝中。powertrench 技術將 n 溝道 mosfet 的特性運用在 p 溝道m(xù)osfet 中，使到 p 溝道 mosfet 具備 n 溝道 mosfet 的性能，并表現(xiàn)出更低的 rds (on) 和更低的柵極電荷，繼而更高的效率，同時還能夠在數(shù)百 khz 的高
飛兆半導體公司推出 40v p 溝道 powertrench mosfet 產品 fdd4141，為功率工程師提供快速開關的解決方案，可將開關損耗減少達一半。fdd4141 具有低導通阻抗 (rds(on))，與目前的 mosfet 比較能降低柵極電荷(qg) 達 50%，可讓便攜、計算、消費和家庭娛樂產品中的異步降壓、電池充電和逆變器開關等應用，以更高的速度進行切換，而不會產生過多的熱量。快速開關是步降轉換器等開關速度需要達到數(shù)百 khz 應用的必備條件。盡管其它 mosfet 解決方案亦可在較高頻率下進行切換，惟這些解決方案的柵極電荷較高，造成發(fā)熱更多、效率降低。 fdd4141采用飛兆半導體專有的 powertrench 工藝技術制造，可將負載電流更高的晶圓封裝在尺寸更小的封裝中。powertrench 技術將 n 溝道 mosfet 的特性運用在 p 溝道 mosfet 中，使到 p 溝道 mosfet 具備 n 溝道 mosfet 的性能，并表現(xiàn)出更低的 rds (on) 和更低的柵極電荷，繼而更高的效率，同時還能夠在數(shù)百 khz 的高頻下切換，以達致步降轉換器的開關要求。
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