ARM推出先進(jìn)嵌入式內(nèi)存測(cè)試與修復(fù)系統(tǒng) 走向納米科技時(shí)代
出處:電子工程世界 發(fā)布于:2011-09-04 09:36:17
ARM宣布推出新款先進(jìn)emBISTRx 嵌入式內(nèi)存測(cè)試與修復(fù)系統(tǒng)。該系統(tǒng)與ARM Advantage以及Metro內(nèi)存編譯器緊密整合,而該兩項(xiàng)內(nèi)存編譯器均為Artisan實(shí)體層IP系列中的一員。此款A(yù)RM推出的全工嵌入式內(nèi)存子系統(tǒng),整合了內(nèi)建自我測(cè)試(Best-in-Self-Test, BIST)及內(nèi)建自我修復(fù)(Best-in-Self-Repair, BISR)IP,使Advantage與Metro系列內(nèi)存在邁入45納米、65納米及90納米制程時(shí),能提高整體芯片良率、降低芯片成本、提高獲利,以及增進(jìn)制造測(cè)試的品質(zhì)。
ARM emBISTRxTM嵌入式內(nèi)存測(cè)試和修復(fù)系統(tǒng)具有高速測(cè)試能力,并且還提供一個(gè)接口,允許S o C設(shè)計(jì)師快速實(shí)現(xiàn)整個(gè)內(nèi)存子系統(tǒng)的R T L或門(mén)級(jí)集成。與此同時(shí),內(nèi)存子系統(tǒng)的集成時(shí)間從數(shù)周縮短到數(shù)天。
在納米設(shè)計(jì)的時(shí)代,內(nèi)存內(nèi)容增加至數(shù)千個(gè)記憶單元,導(dǎo)致系統(tǒng)單芯片(System-on-chip, SoC)開(kāi)發(fā)業(yè)者在管理功率、效能及尺寸等設(shè)計(jì)參數(shù)的管理上,面臨各個(gè)方面的挑戰(zhàn)。另一個(gè)主要的影響則是生產(chǎn)力的開(kāi)發(fā),以確保良率的提升及高品質(zhì)的測(cè)試。
先進(jìn)的ARM emBISTRx系統(tǒng)使用一套階層式分散架構(gòu),有別于目前采用專屬控制器支持各別內(nèi)存類型的模式。ARM解決方案透過(guò)一套集中式的共享BIST/BISR控制器,管理不同尺寸與類型的緩存器檔案與內(nèi)存,及置于內(nèi)存單元旁的智能型包裝器。ARM整合模式的利益在于能夠在控制器、包裝器及內(nèi)存宏間,來(lái)降低整體內(nèi)存子系統(tǒng)占用的空間。相較于傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)方法,依照設(shè)計(jì)與建置方式的不同,該架構(gòu)平均可減少20%至30%的系統(tǒng)尺寸。
另外,ARM emBISTRx解決方案有效降低了互連與配線擁塞的情況,進(jìn)而節(jié)省空間并達(dá)到更快的時(shí)序收斂。這種節(jié)省空間的架構(gòu)模式,使開(kāi)研發(fā)業(yè)者能在有限的時(shí)間內(nèi),針對(duì)時(shí)序關(guān)鍵途徑進(jìn)行化,并支持全速模式測(cè)試,以因應(yīng)消費(fèi)者及企業(yè)快速變遷的重要需求。
為了提高設(shè)計(jì)生產(chǎn)力,ARM emBISTRx系列加入一套自動(dòng)化工具,能將BIST/BISR內(nèi)建并整合至設(shè)計(jì)方案中,進(jìn)而縮短建置時(shí)間并排除各種設(shè)計(jì)錯(cuò)誤。ARM emBISTRx系統(tǒng)與ARM內(nèi)存編譯器緊密結(jié)合,為開(kāi)發(fā)業(yè)者提供一套簡(jiǎn)單易用的解決方案,以建置ARM嵌入式內(nèi)存子系統(tǒng)。
除了傳統(tǒng)鎖定標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存錯(cuò)誤類型外,ARM emBISTRx系統(tǒng)還包含許多算法,能偵測(cè)納米技術(shù)中實(shí)際的硅組件瑕疵,比如漏電、微弱位以及其它因低良率而導(dǎo)致的細(xì)微反應(yīng)。偵測(cè)型BIST算法能減少測(cè)試失效的可能性,讓高產(chǎn)量產(chǎn)品能節(jié)省數(shù)百萬(wàn)美元的成本。ARM emBISTRx 系統(tǒng)特別針對(duì)ARM的內(nèi)存冗余架構(gòu)進(jìn)行調(diào)校,而該架構(gòu)則以內(nèi)存瑕疵資料、細(xì)胞單元良率以及相關(guān)晶圓廠的建議資料作為基礎(chǔ)。
ARM實(shí)體IP部門(mén)行銷副總裁Neal Carney表示:“當(dāng)客戶從90納米轉(zhuǎn)移至45納米以下制程時(shí),他們也面臨了許多嚴(yán)苛的挑戰(zhàn),包括必須提供良率更高、測(cè)試品質(zhì)更佳、且滿足空間與時(shí)序限制的內(nèi)存。藉由ARM emBISTRx解決方案的推出,我們提供一款空間優(yōu)化的嵌入式內(nèi)存子系統(tǒng),使我們的客戶達(dá)成整體良率目標(biāo),并提高測(cè)試品質(zhì)與利潤(rùn)。此款解決方案協(xié)助業(yè)者克服眼前的挑戰(zhàn),在精密的SoC中加入測(cè)試與修復(fù)功能,以協(xié)助客戶加快產(chǎn)品的上市時(shí)程。”
供應(yīng)時(shí)程
ARM emBISTRx 產(chǎn)品于2006年第四季問(wèn)市,并且根據(jù)客戶選擇的內(nèi)存與制程技術(shù)報(bào)價(jià)。
關(guān)于ARM
ARM的先進(jìn)技術(shù)為市面上各種先進(jìn)數(shù)字產(chǎn)品的重要,其應(yīng)用領(lǐng)域范圍廣闊,包括無(wú)線通訊、網(wǎng)絡(luò)、消費(fèi)性?shī)蕵?lè)、影像、汽車、安全及儲(chǔ)存等領(lǐng)域。ARM的完整產(chǎn)品線包括16/32位RISC微處理器、資料引擎、繪圖處理器、數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)庫(kù)、嵌入式內(nèi)存、外圍設(shè)備、軟件及開(kāi)發(fā)工具。目前,總共有30家半導(dǎo)體公司與ARM簽訂了硬件技術(shù)使用許可協(xié)議,其中包括Intel、IBM、LG半導(dǎo)體、NEC、SONY、菲利浦和國(guó)民半導(dǎo)體這樣的大公司。至于軟件系統(tǒng)的合伙人,則包括微軟、升陽(yáng)和MRI等一系列公司。 20世紀(jì)90年代,ARM 32位嵌入式RISC(Reduced lnstruction Set Computer)處理器擴(kuò)展到世界范圍,占據(jù)了低功耗、低成本和高性能的嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域的地位。ARM公司既不生產(chǎn)芯片也不銷售芯片,它只出售芯片技術(shù)授權(quán)。
ARM將其技術(shù)授權(quán)給世界上許多著名的半導(dǎo)體、軟件和OEM廠商,每個(gè)廠商得到的都是一套的ARM相關(guān)技術(shù)及服務(wù)。利用這種合伙關(guān)系,ARM很快成為許多性RISC標(biāo)準(zhǔn)的。
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng),轉(zhuǎn)載請(qǐng)必須注明維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng),http://hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問(wèn)題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- ARM技術(shù)架構(gòu)與應(yīng)用開(kāi)發(fā)實(shí)踐指南2026/1/6 10:40:19
- 嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)(RTOS)選型與移植技術(shù)指南2025/12/31 10:42:31
- 工業(yè)嵌入式系統(tǒng):通信接口技術(shù)選型與抗干擾設(shè)計(jì)實(shí)踐2025/12/15 14:36:53
- 深入解析嵌入式 OPENAMP 框架:開(kāi)啟異核通信新時(shí)代2025/7/22 16:27:29
- 一文快速了解OPENWRT基礎(chǔ)知識(shí)2025/7/14 16:59:04
- 高速PCB阻抗控制核心實(shí)操規(guī)范
- 高速數(shù)字系統(tǒng)(如DDR、SerDes)中的信號(hào)完整性濾波
- MOSFET在UPS電源中的應(yīng)用解析
- 電源管理IC在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的應(yīng)用
- SMT連接器焊接缺陷分析
- MOSFET在汽車電子中的應(yīng)用要求
- 通信設(shè)備電源管理IC應(yīng)用解析
- 通信設(shè)備連接器選型與設(shè)計(jì)
- PCB電磁兼容性(EMC)設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)低功耗設(shè)計(jì):信號(hào)鏈中的濾波與功耗管理









