通過 PWM 全橋?qū)崿F(xiàn) ZVS
出處:維庫電子市場網(wǎng) 發(fā)布于:2024-10-23 16:14:22 | 713 次閱讀


圖 2用于驅(qū)動初級側(cè)相反 FET 的傳統(tǒng)配置 (1 ?s/div)。資料德州儀器 當(dāng)死區(qū)時間內(nèi)沒有初級側(cè) FET 導(dǎo)通時,次級電流將繼續(xù)通過同步整流器續(xù)流。此時,存儲在初級側(cè)的泄漏能量與初級側(cè) FET 的輸出電容諧振,從而在 OUTA 或 OUTB 變低時產(chǎn)生較大的泄漏尖峰。該諧振會影響初級側(cè)的所有四個 FET。圖 3顯示了泄漏尖峰可以達(dá)到多大。實際上,大的漏電尖峰可能需要您使用更高電壓的組件。

具有互補邏輯的替代方法 另一種方法是通過橋的每一半上的互補邏輯來控制初級 FET。在此方法中,PWM 高電平打開高側(cè) FET,PWM 低電平打開低側(cè) FET。圖 4顯示了使用此方法的圖表。




圖 7傳統(tǒng)配置 (400 ns/div)(左);使用互補 PWM 信號 (1.00 ?s/div)(右)。資料德州儀器
修改后的 HSFB 參考設(shè)計
僅引入 ZVS 就可以提高整個負(fù)載條件下的效率。圖 8比較了修改后的 HSFB 參考設(shè)計,即“適用于 100kRad 應(yīng)用的 100W、5V 輸出硬開關(guān)全橋轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計”,該設(shè)計在初級側(cè)使用 ZVS 邏輯與 HSFB 的初始數(shù)據(jù)。初級 FET 的邏輯是唯一的變化;對初級側(cè) FET 驅(qū)動器的優(yōu)化以及對次級側(cè)保護(hù)電路的改進(jìn)將進(jìn)一步增加該方法的優(yōu)勢。
使用互補邏輯
在全橋轉(zhuǎn)換器上使用互補邏輯可以使初級 FET 實現(xiàn) ZVS。這種方法對于系統(tǒng)效率有很多好處,并且該方法易于實現(xiàn)。
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