LED數(shù)碼顯示器的工作原理

LED數(shù)碼顯示器由發(fā)光二極管（LED）構成“日”字型或“田”字型，發(fā)光二極管由磷砷化鎵或碳化硅等材料制成，當給發(fā)光二極管的PN結兩端施加正向電壓時，電流加大，由于電子和空穴復合時釋放出的熱量而發(fā)光。　　LED數(shù)...

分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：7252 關鍵詞：LED數(shù)碼顯示器的工作原理CD4511LED顯示器

數(shù)碼顯示器與電平顯示器

為了便于操作人員了解自動化系統(tǒng)的運行工況，必要的顯示設備是必不可少的。顯示設備包括模擬顯示儀表中的指示指針、數(shù)字設備中的數(shù)碼顯示器、計算機控制系統(tǒng)中的CRT顯示終端以及大屏幕顯示器等。電平顯示已成為數(shù)字...

分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：3044 關鍵詞：數(shù)碼顯示器與電平顯示器顯示器

偏離內(nèi)脊側壁的距離對載流子密度的影響

我們假定幾個偏移距離，分別為0.25μm、1μm和4μm，并給出模擬結果，如圖1所示。　　圖1 N+區(qū)偏離內(nèi)脊側壁的距離對載流子密度的影響　　由圖1我們可以看出，當偏移量為0.25μm和1μm時載流子濃度變化不大，而當偏...

分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：1541 關鍵詞：偏離內(nèi)脊側壁的距離對載流子密度的影響

N+和P+區(qū)的深度對載流子密度的影響

N+和P+區(qū)的深度對載流子密度的影響可以模擬出來，但是如果P+區(qū)延伸較深的話就會深入到光場區(qū)，從而使光傳輸損耗加大。所以我們只考慮N+區(qū)變化的情況。考慮N+區(qū)深度分別為0.5um和1.2um兩種情況下載流子密度的變化。摻...

分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：2059 關鍵詞：N+和P+區(qū)的深度對載流子密度的影響

脊寬和脊高對載流子密度的影響

首先考慮脊高對注入載流子密度的影響。我們這里考慮到脊高是圖1中刻蝕掉的深度矽。為了保證單模條件，這個深度一定要小于6.5/2=3.25 gm，所以我們在圖1中假設了3.2pm，這個深度對光場的限制較強；用Silvaco進行模擬...

分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：1782 關鍵詞：脊寬和脊高對載流子密度的影響

光小目位脊形光波導基模調制器

在正向注入的情況下（即P+區(qū)相對于N+區(qū)接正偏壓），電子和空穴將注入到本征區(qū)，形成電流。因為這就是一個p-l-n二極管結構，其導通電壓約為0.7 V，所以正偏電壓至少應大于0.7 V。在一定偏壓下，載流子注入濃度與P+區(qū)...

分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：2040 關鍵詞：光小目位脊形光波導基模調制器

結構調制器截面

我們有下列幾點需要考慮：　　①脊寬和脊高的確定；　　②N+和P+區(qū)深度的確定；　　③N+區(qū)偏離內(nèi)脊側壁距離的確定。　　我們現(xiàn)在要做的就是如何優(yōu)化各參數(shù)以使得器件性能。具體就是考慮載流子注入到光場區(qū)的密度和光...

分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：1652 關鍵詞：結構調制器截面

SEED器件耐壓特性測量

對列陣器件的耐壓特性做了測量，表為測量結果。造成個別器件耐壓值偏低的原因是多方面的，多量子阱i區(qū)本底濃度偏高，會使pln結構中電場強度增大；材料生長的不夠均勻（i區(qū)摻雜濃度不均勻）會使部分器件性能不完全一...

分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：1533 關鍵詞：SEED器件耐壓特性測量SEED

SEED器件微區(qū)光反射譜測量

反射型SEED光調制開關列陣，要求多量子阱結構在激子吸收波段的光反射特性具有良好的電場調制作用。器件 工作時，光垂直于器件表面從P區(qū)入射，經(jīng)過多量子阱i區(qū)時，一部分光被i區(qū)吸收，透射過i區(qū)的光被底部DBR高反 射...

分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：2452 關鍵詞：SEED器件微區(qū)光反射譜測量SEED

SEED列陣設計與制備

1． 1×20 SEED列陣　　SEED智能像素集光探測器、光調制器和邏輯功能電路于一體，SEED器件是智能像素的。我們設計了適用于 倒裝焊結構的1×20 SEED列陣，SEED器件面積為160 gm×60μm，電極焊盤面積為40μm×40μm，...

分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：1727 關鍵詞：SEED列陣設計與制備SEED

光反射譜測量

我們采用了MBE技術生長多量子阱結構，襯底材料為半絕緣GaAs。在生長時先在半絕緣襯底上生長一層N＋GaAs作為N型電極，緊接著在其上生長20.5個周期的AlAs／AlGaAsDBR，在DBR和多量子阱區(qū)之間生長N型和i型AlGaAs緩沖層...

分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：1496 關鍵詞：光反射譜測量光反射譜

常關型量子阱結構設計

一般常關型SEED器件的量子阱數(shù)目都取50個左右，圖1和圖2分別是常關型器件量子阱結構和計算的反射譜。要 獲得高的對比度必須使低態(tài)反射率基本為零，這樣就要利用ASFP腔的調制作用。非對稱F－P腔的模式波長在100 kV/c...

分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：1502 關鍵詞：常關型量子阱結構設計常關型

常通型器件量子阱結構設計

對于常通型器件，要獲得高態(tài)反射率大于50％，低態(tài)反射率接近為零的器件，量子阱數(shù)目需75～100對，為了減 小工作電壓，對應較少的量子阱數(shù)目，在器件頂部增加DBR可增大器件頂部反射率，2對λ/4光學厚度的A10.1 GaO.9...

分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：2490 關鍵詞：常通型器件量子阱結構設計常通型器件

SEED列陣研制適合于倒裝焊結構的量子阱外延材料

1．量子阱結構設計　　多量子阱吸收區(qū)的設計主要應考慮阱寬、壘寬、阱深和阱的數(shù)目的選取。吸收區(qū)中所采用的異質結構為 GaAs/Ga1-xAlxAs材料系的多量子阱，組分x取為0.3左右。阱寬的選擇首先應考慮使激子吸收峰處于...

分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：2584 關鍵詞：SEED列陣研制適合于倒裝焊結構的量子阱外延材料SEED

頂注入對稱相位調制器結構

為了在半導體中實現(xiàn)載流子注入，我們需要在器仵中建立電流通路。最簡單的辦法就是·利用pn結。因為pn結在P區(qū)和N區(qū)需要較高的摻雜濃度，所以如果將其設置在光功率聚集的地方就會對光場造成較大的損耗。通常我們采用如...

分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：1534 關鍵詞：頂注入對稱相位調制器結構

光小目位調制器位移電流方程

對于時域模擬，位移電流需要進行計算和保存。位移電流的表達式為進行求解之前，需要對擬解決的問題進行定義。這一過程一般包含以下步驟：①定義待模擬器件的物理結構參數(shù)，并對其結構進行合理的網(wǎng)格劃分；②對各個物...

分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：1831 關鍵詞：光小目位調制器位移電流方程

光小目位調制器漂移-擴散模型

根據(jù)玻耳茲曼傳輸方程，載流子連續(xù)性方程中的電流密度可以通過漂移－擴散模型來表達。在這種情況下，電流密度用費米能級￠n和￠p表示為　　式中，μn和μp分別為電子和空穴的遷移率；準費米能級同載流子濃度和電勢通...

分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：2095 關鍵詞：光小目位調制器漂移-擴散模型

SEED智能像素制備工藝

根據(jù)國內(nèi)CMOS工藝和倒裝焊接的技術水平及所研制的SEED列陣特點，本課題組設計出CMOS－SEED智能像素工藝實 現(xiàn)方案。首先將SEED器件和CMOS電路分別制作在GaAs/AlGaAs MQW材料和Si晶片上，在CMOS集成電路和SEED列陣芯 ...

分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：2180 關鍵詞：SEED智能像素制備工藝SEED智能像素