絕大部分的硅光子器件選擇SOl材料來做平臺(tái)。而我們通常用的SOl材料選擇硅的良好氧化物二氧化硅來做掩埋絕緣層,即硅在二氧化硅上。頂層硅和掩埋二氧化硅的厚度一般為微米量級,隨制作工藝的不同而不同。二氧化硅一般...
分類:光電顯示/LED照明 時(shí)間:2008-12-03 閱讀:1477 關(guān)鍵詞:SOl基片的制備
調(diào)制即是通過施加電信號改變光波導(dǎo)中光的相位、強(qiáng)度和偏振等特征,以達(dá)到用光來傳輸信號的目的。硅的調(diào)制比較普遍的是利用載流子的注入或耗盡,而不是利用通常的電場效應(yīng),下面介紹幾種調(diào)制機(jī)制。 1.普克爾效應(yīng) ...
分類:光電顯示/LED照明 時(shí)間:2008-12-03 閱讀:3364 關(guān)鍵詞:硅中的光調(diào)制機(jī)制
直光波導(dǎo)中的輻射損耗可以忽略,彎曲光波導(dǎo)和光波導(dǎo)制作過程中引入的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)畸變是輻射損耗的主要來源。彎曲損耗隨曲率半徑的減小而增大,尤其是小截面光波導(dǎo),此時(shí)光的限制因子較小,更容易引起彎曲損耗。對于SO...
分類:光電顯示/LED照明 時(shí)間:2008-12-03 閱讀:2028 關(guān)鍵詞:直光波導(dǎo)中的輻射損耗
半導(dǎo)體材料的吸收主要來源于帶邊吸收、帶間吸收和自由載流子吸收。當(dāng)光子能量大于禁帶寬度時(shí),價(jià)帶中的電子就會(huì)被激發(fā)到導(dǎo)帶。所以傳輸光的波長要大于光波導(dǎo)材料吸收邊的波長,即導(dǎo)波的波長要大于1.1 gm。自由載流子...
分類:光電顯示/LED照明 時(shí)間:2008-12-03 閱讀:2452 關(guān)鍵詞:半導(dǎo)體材料的吸收損耗
光波導(dǎo)的散射分為兩種類型:體散射和界面散射。體散射是由于光波導(dǎo)體材料的缺陷造成的,如空洞、雜質(zhì)原子和晶格缺陷等。界面散射是由于光波導(dǎo)芯層和包層界面的粗糙度引起的。體散射在硅材料中一般可以忽略。但如離子...
分類:光電顯示/LED照明 時(shí)間:2008-12-03 閱讀:3453 關(guān)鍵詞:硅光波導(dǎo)中損耗的分類
目前為止,我們認(rèn)為折射率是實(shí)數(shù),但是一般情況下,它是一個(gè)復(fù)數(shù)。復(fù)折射率定義為 因此,有一項(xiàng)為exp(-kon1z),這一項(xiàng)經(jīng)常被寫為exp(- a),a稱為損耗系數(shù), 之所以包含在里面,是因?yàn)閍通常為強(qiáng)度損耗...
分類:光電顯示/LED照明 時(shí)間:2008-12-03 閱讀:4324 關(guān)鍵詞:光波導(dǎo)的折射率及損耗系數(shù)
有效折射率法進(jìn)行脊形光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)
SOl基片的構(gòu)成如圖1所示,頂層硅的厚度約為幾微米,做為光波導(dǎo)的芯層材料;掩埋氧化層的厚度一般為0.5 gm,作為光波導(dǎo)的下包層,防止光場從襯底泄漏掉,所以只要氧化層的厚度大于光模的消逝場的尺寸,光就可以被有效...
分類:光電顯示/LED照明 時(shí)間:2008-12-02 閱讀:4028 關(guān)鍵詞:有效折射率法進(jìn)行脊形光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)
集成光電子學(xué)無論在技術(shù)還是成本上都占有優(yōu)勢。對于III-V族化合物來說,硅材料和SOl(硅在絕緣體上)在基片處理成本,封裝密度等方面均占有優(yōu)勢。微電子工藝的發(fā)展水平使得集成光學(xué)的工藝很容易實(shí)現(xiàn)。目前集成光學(xué)的...
分類:光電顯示/LED照明 時(shí)間:2008-12-02 閱讀:2360 關(guān)鍵詞:集成光電子學(xué)SOI光波導(dǎo)
平板光波導(dǎo)的利用面非常有限,因?yàn)樗荒軐?dǎo)引光波沿著一個(gè)固定的方向傳播,這無疑限制了光波導(dǎo)的應(yīng)用;實(shí)際最長用的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)為三維光波導(dǎo),它能自由地將光波導(dǎo)引到任意想要的方向。目前在OEIC中最常用的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)...
分類:光電顯示/LED照明 時(shí)間:2008-12-02 閱讀:8657 關(guān)鍵詞:光波導(dǎo)基本結(jié)構(gòu)
我們知道,并不是光波導(dǎo)中所有的光功率都在芯層內(nèi)部傳輸。而知道有多少功率在芯層內(nèi)部傳輸是十分重要的;它是比較光波導(dǎo)模式和光波導(dǎo)制作技術(shù)的重要因素。如光波導(dǎo)對模式限制強(qiáng),則芯層內(nèi)部的光場能量就大,反之亦然...
分類:光電顯示/LED照明 時(shí)間:2008-12-02 閱讀:2938 關(guān)鍵詞:波方程的限制因子
在已經(jīng)得出了場解后,就可以畫出其場分布和強(qiáng)度分布圖。為了描述多模特性,定義一個(gè)較大的多模光波導(dǎo),參數(shù)如下:n1=3.5,n2=1.46,n3=3.5,λ0=1.55 gm,h=1.0um。芯層中的偶階模是余弦函數(shù),在包層中按指數(shù)規(guī)律...
分類:光電顯示/LED照明 時(shí)間:2008-12-02 閱讀:1637 關(guān)鍵詞:波方程的模場形狀
在這一部分,我們利用簡單的平板光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)來化簡波方程。我們將利用偏振的m模(只在艿方向存在電場)來求解波方程。TM模(只在y方向存在電場)的求解過程與之類似。 將式(4-53)在笛卡兒坐標(biāo)系下展開,可以得到...
分類:光電顯示/LED照明 時(shí)間:2008-12-02 閱讀:2878 關(guān)鍵詞:波方程的化簡和求解
簡單的光波導(dǎo)理論可通過射線光學(xué)進(jìn)行研究,但是要對光波導(dǎo)器件進(jìn)行設(shè)計(jì),就一定要用到波動(dòng)光學(xué)的理論。波動(dòng)光學(xué)的理論基礎(chǔ)即麥克斯韋方程組,它可以寫成4個(gè)耦合的方程,其中兩個(gè)標(biāo)量方程,兩個(gè)矢量方程。它可以寫成...
分類:光電顯示/LED照明 時(shí)間:2008-12-02 閱讀:2880 關(guān)鍵詞:電磁場理論基礎(chǔ)
由式(4-21)和式(4-22)知道: 我們尤其對z方向的傳播常數(shù)感興趣,炻經(jīng)常可以用β來表示,它們是等效的。 我們可以定義一個(gè)參數(shù)N,稱為有效折射率,表示為 這個(gè)公式與式(4-19)很相似,即可以把光波導(dǎo)...
分類:光電顯示/LED照明 時(shí)間:2008-12-02 閱讀:5296 關(guān)鍵詞:模有效折射率
對于給定的偏振光來說,我們通常使用的光波導(dǎo)只支持一個(gè)模式,即單模光波導(dǎo)。分析一下對稱平板光波導(dǎo)的特征值方程(4-26)。考慮二階模,即m=1,令它的傳輸角等于臨界角。在這樣的限定條件下,平方根內(nèi)的值約等于零...
分類:光電顯示/LED照明 時(shí)間:2008-12-02 閱讀:3110 關(guān)鍵詞:光傳輸?shù)膯文l件
現(xiàn)在我們考慮更加復(fù)雜的非對稱平板光波導(dǎo),如圖1所示,n2≠n3。 圖1 非對稱平板光波導(dǎo)傳輸 我們可以用與對稱平板光波導(dǎo)類似的方法對其進(jìn)行求解,只是上、下界面的邊界條件不同。這時(shí)咒模的特征值方程變?yōu)椤 ?..
分類:光電顯示/LED照明 時(shí)間:2008-12-02 閱讀:3012 關(guān)鍵詞:非對稱平板光波導(dǎo)
圖像顯示器件是二維光信號的圖像與人的視覺之間的媒介。圖像具有豐富的信息量,伴隨著圖像的發(fā)射、傳輸、接收的國際化,電子圖像顯示器件將會(huì)起到越來越重要的作用。目前,電子圖像顯示器件主要有陰極射線管CRT顯示...
分類:光電顯示/LED照明 時(shí)間:2008-12-02 閱讀:2038 關(guān)鍵詞:電子圖像顯示器件顯示器
VSR光接收模塊的主要組成包括光電探測器二極管列陣、放大器、增益放大器、信號檢測電路,以及LVDS信號輸 出設(shè)備。 光通信系統(tǒng)中,光電探測器的作用是將光脈沖信號轉(zhuǎn)變成光生電流,并經(jīng)過前置放大等預(yù)處理后成為能...
分類:光電顯示/LED照明 時(shí)間:2008-12-02 閱讀:2379 關(guān)鍵詞:并行光接收模塊光接收
模塊的正常工作需要優(yōu)化的的封裝設(shè)計(jì)。一個(gè)好的封裝可以很好地保護(hù)內(nèi)部的組件,隔離外部干擾,并且還具有散熱、機(jī)械定位、提供內(nèi)部和外部的光,以及電連接等作用。設(shè)計(jì)恰當(dāng)?shù)腣CSEL可擁有超過10GHz的自身帶寬。VCSEL...
分類:光電顯示/LED照明 時(shí)間:2008-12-02 閱讀:2438 關(guān)鍵詞:并行光發(fā)射模塊的封裝技術(shù)光發(fā)射
為了減小氧化層殘余電荷引起界面陷阱中心使載流子消失以提高轉(zhuǎn)移效率,可以在氧化層和襯底之間增加一層隱埋層使轉(zhuǎn)移溝道從表面移向體內(nèi)。由圖1(b)可以看出,勢能極小值脫離了界面進(jìn)入了體內(nèi),避免了表面態(tài)的影響,...
分類:光電顯示/LED照明 時(shí)間:2008-12-02 閱讀:2965 關(guān)鍵詞:光電探測器陣列CCD轉(zhuǎn)移特性探測器
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