IGBT器件介紹 IGBT結(jié)構(gòu)與工作原理

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）器件，即絕緣柵雙極型晶體管，是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式開關(guān)功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了雙極結(jié)型晶體管（BJT）和金屬氧化物場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的特點(diǎn)，能夠?qū)崿F(xiàn)高電壓...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-06-24 閱讀：966 關(guān)鍵詞：IGBT器件

表面貼裝技術(shù)（SMT）簡介

SMT(Surface Mounted Technology,表面組裝技術(shù)或表面貼裝技術(shù))是一種將無引腳 短引線表面組裝元器件（簡稱片狀元器件）安裝在PCB（Printed Circuit Board，印制電路板）的表面或其他基板的表面上，通過再流焊或浸焊...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-06-24 閱讀：1254 關(guān)鍵詞：SMT

三相變壓器：應(yīng)用和連接配置

變壓器的功能和應(yīng)用　　變壓器的類型和用途多種多樣，可根據(jù)其應(yīng)用、結(jié)構(gòu)類型和尺寸進(jìn)行分類。　　一般來說，變壓器的主要功能是改變交流電（AC）的電壓水平，提高電壓以供長距離傳輸或降低電壓以供家庭和工業(yè)消費(fèi)者...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-06-21 閱讀：1173 關(guān)鍵詞：三相變壓器

Toshiba -東芝推出“XCUZ系列”浪涌保護(hù)齊納二極管產(chǎn)品，適用于汽車設(shè)備

該系列產(chǎn)品符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車設(shè)備（IVI[2]、ADAS[3]、BMS[4]等）。同時可避免受到各種來自車載ECU[1]電源線和連接器的噪聲（靜電放電（ESD）、納秒級ESD、微秒級到毫秒級開關(guān)浪涌等）的影響，并防止系統(tǒng)...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-06-13 閱讀：636 關(guān)鍵詞：保護(hù)齊納二極管

自耦變壓器工作原理介紹及圖解

自耦變壓器（Autotransformer）是一種特殊類型的變壓器，它只有一個繞組，但在電氣上可以實(shí)現(xiàn)升壓或降壓的功能。自耦變壓器與普通變壓器的最大區(qū)別在于它們的繞組結(jié)構(gòu)和能量傳遞方式。下面是對自耦變壓器工作原理的...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-06-13 閱讀：1789 關(guān)鍵詞：自耦變壓器

adc0809模數(shù)轉(zhuǎn)換程序及詳解

一、ADC0809的主要特性8路輸入通道，8位A/D轉(zhuǎn)換器，即分辨率為8位。具有轉(zhuǎn)換起停控制端。轉(zhuǎn)換時間為100μs（時鐘為640KHz時），130μs（時鐘為500KHz時）。單個+5V電源供電。模擬輸入電壓范圍0～+5V，不需零點(diǎn)和滿刻...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-06-06 閱讀：1042 關(guān)鍵詞：ADC0809

共模半導(dǎo)體推出40V，3ppm／℃低噪聲、高精度基準(zhǔn)電壓GM7400，可替代ADI的ADR01等產(chǎn)品

『共模半導(dǎo)體』推出40V，3ppm/℃低噪聲、高精度基準(zhǔn)電壓GM7400，GM7400是一款精密基準(zhǔn)電壓源，該器件兼具穩(wěn)健的工作特性和極低的漂移與低噪聲。利用先進(jìn)的曲率補(bǔ)償，該帶隙基準(zhǔn)電壓源可實(shí)現(xiàn) 3ppm/°C 的漂移和可預(yù)知...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-06-06 閱讀：574 關(guān)鍵詞：GM7400

Toshiba - 東芝擴(kuò)展U-MOSX-H系列80V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品線，助力降低電源功耗

通信基站是現(xiàn)代通信系統(tǒng)中的重要組成部分,數(shù)據(jù)中心也和網(wǎng)絡(luò)通訊一樣逐漸成為現(xiàn)代社會基礎(chǔ)設(shè)施的一部分,對很多產(chǎn)業(yè)都產(chǎn)生了積極影響。其中，開關(guān)電源起著不可忽視的作用，它憑借穩(wěn)定、可靠、高效的供電保證了整個通信...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-06-05 閱讀：533 關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體

什么是共模電感_共模電感的特性

共模電感（Common Mode Inductor），也稱為共模扼流圈，是一種特殊的電感器件，主要用于抑制共模噪聲（Common Mode Noise）。以下是關(guān)于共模電感的詳細(xì)解釋及其特性：　　定義　　共模電感是一種具有兩個相鄰線圈的...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-06-04 閱讀：973 關(guān)鍵詞：共模電感

Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢對比

碳化硅（SiC）如何成為功率電子市場一項(xiàng)“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術(shù)。如圖1所示，與硅（Si）材料相比，SiC具有諸多技術(shù)優(yōu)勢，因此我們不難理解為何它已成為電動汽車（EV）、數(shù)據(jù)中心和太陽能/可再生能源等許多應(yīng)用領(lǐng)域中...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-05-31 閱讀：534 關(guān)鍵詞： SiC FET

Onsemi -掌握這些要點(diǎn)，秒變碳化硅柵極驅(qū)動器選型專家

本文將闡述系統(tǒng)能效的重要性，并簡要說明 SiC 柵極驅(qū)動器的選擇標(biāo)準(zhǔn)，包括 SiC 功耗、SiC 導(dǎo)通和關(guān)斷基本原理以及如何減少開關(guān)損耗。此外，我們將介紹首款集成負(fù)偏壓的 3.75 kV 柵極驅(qū)動器 NCP(V)51752。　　能效提...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-05-29 閱讀：428 關(guān)鍵詞：碳化硅柵極驅(qū)動器

排阻的詳細(xì)說明

排阻又稱網(wǎng)絡(luò)電阻，它是由多個電阻器按一定的方式制作并封裝在一起而構(gòu)成的，排阻具有安裝密度高和安裝方便等優(yōu)點(diǎn)，廣泛用在數(shù)字電路系統(tǒng)中。　　實(shí)物外形　　常見的排阻實(shí)物外形如圖1-37所示，前而兩種為直插封裝式...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-05-27 閱讀：864 關(guān)鍵詞：排阻

鉭電解電容器（CA型）

鉭電解電容器與鋁電解電容器相比較，具有體積小、漏電流小、損耗低、溫度特性好、穩(wěn)定性好、壽命長等優(yōu)點(diǎn)，但價格較高。鉭電解電容器自身電感較小，多用于頻率較高的交流電路中。　　鉭電解電容器分為固體鉭電解電容...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-05-24 閱讀：729 關(guān)鍵詞：鉭電解電容器

ShinDengen - 用于防止極性反接和反向電流的High-side Nch-MOSFET柵極驅(qū)動器IC發(fā)售

新電元工業(yè)株式會社推出了High-side Nch-MOSFET柵極驅(qū)動器IC“MF2007SW”。本產(chǎn)品與Nch-MOSFET組合，可作為理想二極管使用，為車載設(shè)備的小型化和低功耗化做貢獻(xiàn)。 另外，與兩個Nch-MOSFET組合，還可作為雙向?qū)ǖ?..

分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-05-24 閱讀：1055 關(guān)鍵詞：MOSFET柵極驅(qū)動器

tvs二極管簡介、特性及應(yīng)用

TVS二極管（Transient Voltage Suppression diode），也稱為電壓穿透型二極管，是一種專門設(shè)計(jì)用來保護(hù)電子設(shè)備不受過電壓損壞的電子元件。　　簡介　　TVS二極管通常是一種雙向?qū)ǖ亩O管，能夠在電路中對過電壓...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-05-23 閱讀：931 關(guān)鍵詞：tvs二極管

pmos管的工作原理

PMOS（P-channel Metal-Oxide-Semiconductor）管是一種常見的場效應(yīng)晶體管（FET），其工作原理如下：　　PMOS管由一個p型的溝道和兩個n型的源極和漏極組成。在溝道和源極之間存在一個絕緣層，稱為氧化層或門絕緣層。...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-05-20 閱讀：853 關(guān)鍵詞：pmos管