高壓150V120V/6A寬輸入電壓DC-DC降壓IC方案優(yōu)選自舉供電36V48V60V72V

H8000一款寬電壓范圍降壓型 DC - DC 電源管理芯片，內(nèi)部集成功率 MOS 管、使能開關(guān)控制、基準(zhǔn)電源、誤差放大器、過熱保護(hù)、限流保護(hù)、短路保護(hù)等功能，非常適合寬電壓輸入降壓使用。　　H8000帶使能控制，可以大大節(jié)...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2025-08-13 閱讀：1360 關(guān)鍵詞：DC - DC 電源管理芯片

將50V的直流電壓降到40V，有什么辦法？

想要將50V的直流電壓降到40V，有什么辦法？ 這屬于電源設(shè)計(jì)部分內(nèi)容，DCDC直流降壓型電壓變換，輸入電壓為50V，輸出40V，輸入與輸出之間的壓差為10V，壓降有點(diǎn)高，若采用線性的方式降壓，負(fù)載電流不能太高，一般5...

分類：電源技術(shù) 時(shí)間：2023-05-24 閱讀：1046 關(guān)鍵詞：50V

LED燈為什么會(huì)變暗？250V電容只有70多V電壓？

家用LED燈的品牌多，原理很多，由于為止該故障LED燈的原理圖，也沒有內(nèi)部結(jié)構(gòu)照片，無法定性分析，下面對(duì)常見的LED燈原理及可能出現(xiàn)的故障進(jìn)行分析。提問者提到250V的電容，其實(shí)這“250V”指的是電容的耐壓值，測(cè)得...

分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2023-04-18 閱讀：802 關(guān)鍵詞：LED燈

Pan Jit - 強(qiáng)茂推出全新600V和650V Super Junction MOSFET 系列產(chǎn)品

應(yīng)用于Power Supply Unit (PSU)系統(tǒng)且擁有高效率和高質(zhì)量的性能 強(qiáng)茂新推出第一代Super Junction MOSFET憑借能夠提供簡(jiǎn)單高效的設(shè)計(jì)解決方案的特性，可成為各應(yīng)用中PSU系統(tǒng)以及各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、功率...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2022-09-20 閱讀：807 關(guān)鍵詞：MOSFET

ROHM確立柵極耐壓高達(dá)8V的150V GaN HEMT的量產(chǎn)體制

~EcoGaNdi一波產(chǎn)品“GNE10xxTB系列”將有助于基站和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化~　　quan球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量產(chǎn)體制...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2022-04-29 閱讀：3958 關(guān)鍵詞：ROHM

東芝推出面向電壓諧振電路1350V分立IGBT，有助于降低設(shè)備功耗

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出“GT20N135SRA”，這是一款用于桌面電磁爐、電飯煲、微波爐等家用電器電壓諧振電路的1350V分立IGBT。該產(chǎn)品于今日起開始出貨。　　東芝推出面向電壓諧振電...

時(shí)間：2019-12-24 閱讀：956 關(guān)鍵詞：東芝

Littelfuse新推250V電信PPTC產(chǎn)品系列，雙通道PPTC封裝尺寸縮小50％

通過將兩個(gè)電信PPTC納入更小的表面貼裝封裝尺寸中節(jié)省電路板空間。 中國(guó)，北京，2019年10月28日訊 - -全球領(lǐng)先的電路保護(hù)、電源控制和傳感技術(shù)制造商Littelfuse， Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：LFUS）今日宣布推出新的2...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2019-10-29 閱讀：585 關(guān)鍵詞：Littelfuse,PPTC產(chǎn)品

Littelfuse GEN2 650V碳化硅肖特基二極管可提高應(yīng)用的效率、可靠性與熱管理

Littelfuse, Inc.今日宣布推出兩個(gè)第二代650V、符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）肖特基二極管系列。 LSIC2SD065CxxA和LSIC2SD065AxxA系列碳化硅肖特基二極管提供各種額定電流選擇（6A、8A、10A、16A或20A）。 它們可...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2019-03-07 閱讀：1174 關(guān)鍵詞：Littelfuse GEN2 650V碳化硅肖特基二極管可提高應(yīng)用的效率、可靠性與熱管理肖特基二極管

Infineon - 650V IGBT采用表面貼裝D2PAK封裝實(shí)現(xiàn)功率密度

2018年6月1日，德國(guó)慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進(jìn)一步壯大其薄晶圓技術(shù)TRENCHSTOP5 IGBT產(chǎn)品陣容。新的產(chǎn)品家族可提供最高40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組...

分類：電源技術(shù) 時(shí)間：2018-06-14 閱讀：908 關(guān)鍵詞：Infineon - 650V IGBT采用表面貼裝D2PAK封裝實(shí)現(xiàn)最大功率密度TRENCHSTOP 5技術(shù).,英飛凌

ROHM開發(fā)出業(yè)界高效率與軟開關(guān)兼?zhèn)涞?50V耐壓IGBT “RGTV/RGW系列”

知名半導(dǎo)體制造商ROHM新開發(fā)出兼?zhèn)錁I(yè)界低傳導(dǎo)損耗※1和高速開關(guān)特性的650V耐壓IGBT※2“RGTV系列（短路耐受能力※3保持版）”和“RGW系列（高速開關(guān)版）”，共21種機(jī)型。這些產(chǎn)品非常適用于UPS（不間斷電源）、焊接...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2018-04-17 閱讀：1310 關(guān)鍵詞：ROHM開發(fā)出業(yè)界頂級(jí)高效率與軟開關(guān)兼?zhèn)涞?50V耐壓IGBT “RGTV/RGW系列”

Cree推出650V碳化硅肖特基二極管C3DXX065A系列

Cree公司日前宣布推出最新Z-Rec650V結(jié)型肖特基勢(shì)壘(JBS)二極管系列，以滿足最新數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求。新型JBS二極管的阻斷電壓為650V，能夠滿足近期數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)修改的要求。據(jù)行業(yè)咨詢專家估算，這樣可以將能...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2010-12-30 閱讀：4363 關(guān)鍵詞：Cree推出650V碳化硅肖特基二極管C3DXX065A系列肖特基二極管

英飛凌推出全新650V CoolMOS C6/E6高壓功率MOSFET

英飛凌科技股份公司近日推出全新的650VCoolMOSC6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢(shì)（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及體二極管高牢固性融合在一起。基于同樣...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2010-07-05 閱讀：4676 關(guān)鍵詞：英飛凌推出全新650V CoolMOS C6/E6高壓功率MOSFETMOSFET