深度對比體硅 FinFET 與 SOI FinFET 的結(jié)構(gòu)和工藝差異
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶體管結(jié)構(gòu)的選擇至關(guān)重要，它直接影響著芯片的性能、能效、成本與可靠性。當制程節(jié)點推進到 22nm 以下時，鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）憑借其三維立體結(jié)構(gòu)成為行業(yè)主流。然而，在 FinFET 陣營內(nèi)部...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2025-06-26 閱讀：408 關(guān)鍵詞：FinFET
什么是 FinFET？ FinFET 是一種晶體管。作為晶體管，它是一個放大器和一個開關(guān)。其應(yīng)用包括家用電腦、筆記本電腦、平板電腦、智能手機、可穿戴設(shè)備、高端網(wǎng)絡(luò)、汽車等。 FinFET 代表鰭狀場效應(yīng)晶體管。Fin，因...
鰭式場效應(yīng)晶體管 (FinFET) 是緊湊型節(jié)能技術(shù)領(lǐng)域鮮為人知的英雄。非傳統(tǒng)的垂直鰭式設(shè)計使晶體管能夠更好地分配電流。 與水平晶體管相比，它們已經(jīng)提高了效率，但進步仍在不斷到來。研究主要希望減少靜電放電 (ES...
分類：安防監(jiān)控 時間：2023-11-28 閱讀：813 關(guān)鍵詞：FinFET 技術(shù)
同任何IP模塊一樣，存儲器必須接受測試。但與很多別的IP模塊不同，存儲器測試不是簡單的通過/失敗檢測。存儲器通常都設(shè)計了能夠用來應(yīng)對制程缺陷的冗余行列，從而使片上系統(tǒng)（SoC）良率提高到90%或更高。相應(yīng)地，由...
時間：2019-01-03 閱讀：1010 關(guān)鍵詞：淺談FinFET存儲器的缺陷修復(fù)和測試算法存儲器
深度剖析CMOS、FinFET、SOI和GaN工藝技術(shù)
引入 真空管的發(fā)明是電子工業(yè)發(fā)展的重要動力。但是，在第二次世界大戰(zhàn)之后，由于需要大量的分立元件，設(shè)備的復(fù)雜性和功耗顯著增 已保存加，而設(shè)備的性能卻不斷下降，...
時間：2018-08-17 閱讀：2357 關(guān)鍵詞：深度剖析CMOS、FinFET、SOI和GaN工藝技術(shù)GaN工藝技術(shù)
MentorGraphics公司宣布，基于臺積電（TSMC）的SPICE模擬工具認證程序，AnalogFastSPICE（AFS）平臺（包括AFSMega及Eldo）通過了16奈米FinFET+V0.9制程認證。V1.0的認證正進行中，將于2014
分類：其它 時間：2014-10-13 閱讀：1315 關(guān)鍵詞：Mentor工具通過TSMC16奈米FinFET+制程認證Mentor工具MentorTSMC16
半導(dǎo)體行業(yè)目前面臨集成電路（IC）制造方法的巨大變革，這一變革旨在不斷提高 IC的性能和密度，可能會對設(shè)計方法產(chǎn)生影響。晶圓代工廠家目前正準備根據(jù)finFET概念加強使用三維晶體管結(jié)構(gòu)的14nm和16nm工藝，因為相比...
時間：2014-10-10 閱讀：3321 關(guān)鍵詞：FinFET推動更明智的物理IP選擇FinFET 工藝 IC制造
Mentor AFS工具通過16nm FinFET+V0.9工藝制程
MentorGraphics公司日前宣布，基于臺積電（TSMC）的SPICE仿真工具認證程序，AnalogFastSPICE（AFS）平臺（包括AFSMega及Eldo）通過了16nmFinFET+V0.9工藝制程認證。V1.0的認證正在進行中，將
分類：其它 時間：2014-09-29 閱讀：2063 關(guān)鍵詞：Mentor AFS工具通過16nm FinFET+V0.9工藝制程認證Mentor SPICE仿真工具 工藝制程
FinFET技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)與發(fā)展前景
FinFET技術(shù)是電子行業(yè)的下一代前沿技術(shù)，是一種全新的新型的多門3D晶體管。和傳統(tǒng)的平面型晶體管相比，F(xiàn)inFET器件可以提供更顯著的功耗和性能上的優(yōu)勢。英特爾已經(jīng)在22nm上使用了稱為“三柵”的FinFET技術(shù)，同時許多...
分類：EDA/PLD/PLC 時間：2013-03-15 閱讀：3952 關(guān)鍵詞：FinFET技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)與發(fā)展前景CadenceFinFET技術(shù)場效應(yīng)晶體管
