GaN器件
ROHM開發(fā)出可更大程度激發(fā)GaN器件性能的超高速柵極驅(qū)動(dòng)器IC
采用業(yè)界先進(jìn)的納秒量級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)，助力LiDAR和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用的小型化和進(jìn)一步節(jié)能~ 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出一款超高速驅(qū)動(dòng)GaN器件的柵極驅(qū)動(dòng)器IC“BD2311NVX-LB”。 近年...
基于GaN器件的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)方案
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強(qiáng)固，因此需謹(jǐn)慎應(yīng)用，集成正確的門極驅(qū)動(dòng)...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2019-11-18 閱讀：946 關(guān)鍵詞：GaN器件
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