MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）作為一種核心的電壓控制型半導(dǎo)體器件，憑借開關(guān)速度快、驅(qū)動功率小、功耗低等優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、電子開關(guān)等領(lǐng)域。根據(jù)導(dǎo)電溝道的載流子類型，MOSFET主要...
分類：基礎(chǔ)電子 時間：2026-01-14 閱讀：484
在MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）中，N溝道和P溝道、增強型與耗盡型的區(qū)分是理解其工作原理的關(guān)鍵。以下是詳細區(qū)分方法，特別是針對增強型MOSFET的判定：1. 溝道類型（N溝道 vs P溝道）1.1 材料與載流子特...
東芝擴展U-MOSX-H系列80V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品線，助力降低電源功耗
通信基站是現(xiàn)代通信系統(tǒng)中的重要組成部分,數(shù)據(jù)中心也和網(wǎng)絡(luò)通訊一樣逐漸成為現(xiàn)代社會基礎(chǔ)設(shè)施的一部分,對很多產(chǎn)業(yè)都產(chǎn)生了積極影響。其中，開關(guān)電源起著不可忽視的作用，它憑借穩(wěn)定、可靠、高效的供電保證了整個通信...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-06-05 閱讀：533 關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體
MOS/CMOS集成電路 MOS集成電路特點： 制造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單，集成度高、抗干擾能力強，特別適合于大規(guī)模集成電路。 MOS...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2022-04-22 閱讀：870 關(guān)鍵詞：MOS管
Vishay 60V TrenchFET第四代n溝道功率MOSFET 專用于標準柵極驅(qū)動電路
器件專門用于標準柵極驅(qū)動電路，柵極電荷低至22.5 nC，QOSS為34.2 nC，采用PowerPAK? 1212-8S封裝。 賓夕法尼亞、MALVERN—2019年8月12日 — 日前，Vishay Intertechnology，Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推...
時間：2019-08-13 閱讀：1243 關(guān)鍵詞：MOSFET
Vishay推出高性能60 V TrenchFET® 第四代 N溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-8單體封裝的60 V TrenchFET 第四代 n溝道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP專門用于提高功...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2019-03-11 閱讀：1116 關(guān)鍵詞：Vishay最新推出高性能60 V TrenchFET® 第四代 N溝道功率MOSFETMOSFET
8V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款8VN溝道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mmx2mm的熱增強型PowerPAKSC-70封裝，具有N溝道器件中的導(dǎo)通電阻。新
分類：基礎(chǔ)電子 時間：2012-07-20 閱讀：2529 關(guān)鍵詞：8V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJMOSFET
描述 LTC4446 是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動器，可利用一個 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和高達 100V 的電源電壓來驅(qū)動兩個 N 溝道 MOSFET。強大的驅(qū)動能力降低了具高柵極電容 MOSFET 中的...
分類：模擬技術(shù) 時間：2011-02-21 閱讀：4486 關(guān)鍵詞：LTC4446：N溝道MOSFET驅(qū)動器LTC4446MOSFET驅(qū)動器
飛兆N溝道WL-CSP MOSFET延長便攜應(yīng)用電池壽命
飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)因應(yīng)手機、便攜醫(yī)療設(shè)備和媒體播放器等便攜應(yīng)用設(shè)備的設(shè)計和元件工程師對在其設(shè)計中加入節(jié)省空間的高效器件的需求，推出N溝道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，這兩款器件使用...
分類：電源技術(shù) 時間：2010-04-01 閱讀：1694 關(guān)鍵詞：飛兆N溝道WL-CSP MOSFET延長便攜應(yīng)用電池壽命FDZ192NZFDZ372NZ
飛兆半N溝道WL-CSP MOSFET能在便攜應(yīng)用中延長電池壽命
飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)因應(yīng)手機、便攜醫(yī)療設(shè)備和媒體播放器等便攜應(yīng)用設(shè)備的設(shè)計和元件工程師對在其設(shè)計中加入節(jié)省空間的高效器件的需求，推出N溝道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，這兩款器件使用...
分類：電源技術(shù) 時間：2010-03-18 閱讀：1918 關(guān)鍵詞：飛兆半N溝道WL-CSP MOSFET能在便攜應(yīng)用中延長電池壽命FDZ192NZFDZ372NZ
全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ONSemiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、?8FL及SOIC-8
分類：元器件應(yīng)用 時間：2009-10-29 閱讀：2725 關(guān)鍵詞：安森美推出24款新的30伏、N溝道溝槽MOSFETMOSFET
Vishay推出業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出具有業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件---SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的電壓降至12V，同時該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這
分類：元器件應(yīng)用 時間：2009-07-29 閱讀：2455 關(guān)鍵詞：Vishay推出業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET電阻MOSFET
Linear推出高端/低端N溝道高速MOSFET驅(qū)動器LTC4446
凌力爾特公司(Linear)推出高頻、高輸入電源電壓(100V)MOSFET驅(qū)動器LTC4446，用來驅(qū)動雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器中的高端和低端N溝道功率MOSFET。這個驅(qū)動器與功率MOSFET和一個凌力爾特公司的DC/DC控制器一起，可組成一個...
分類：其它 時間：2008-06-13 閱讀：1975 關(guān)鍵詞：Linear推出高端/低端N溝道高速MOSFET驅(qū)動器LTC4446MOSFET驅(qū)動器LTC4446
VN系列N溝道功率場效應(yīng)管的主要特性參數(shù)見表。 VN系列N溝道功率場效應(yīng)管主要特性參數(shù)
分類：元器件應(yīng)用 時間：2008-04-23 閱讀：2661 關(guān)鍵詞：VN系列N溝道V-MOS功率場效應(yīng)管
表列出了一些N溝道結(jié)型開關(guān)場效應(yīng)管的主要特性參數(shù)。 一些N溝道結(jié)型開關(guān)場效應(yīng)管主要特性參數(shù)
分類：元器件應(yīng)用 時間：2008-04-23 閱讀：2196 關(guān)鍵詞：N溝道結(jié)型開關(guān)場效應(yīng)管
CS系列結(jié)型場效應(yīng)管的主要特性參數(shù)見表。 CS系列結(jié)型場效應(yīng)管主要特性參數(shù)
分類：元器件應(yīng)用 時間：2008-04-23 閱讀：3256 關(guān)鍵詞：CS系列N溝道結(jié)型場效應(yīng)管
3DJ系列場效應(yīng)管的主要特性參數(shù)見表。 3DJ列場效應(yīng)管主要特性參數(shù)
分類：元器件應(yīng)用 時間：2008-04-23 閱讀：4132 關(guān)鍵詞：3DJ系列N溝道結(jié)型場效應(yīng)管
安森美半導(dǎo)體將推出后穩(wěn)壓、雙N溝道MOSFET驅(qū)動器
全球領(lǐng)先的電源轉(zhuǎn)換解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體（ONSemiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）宣布，將推出NCP4330——后穩(wěn)壓、雙N溝道MOSFET驅(qū)動器，能提高常用于ATX和高功率開關(guān)電源（SMPS）的正激轉(zhuǎn)換器的效率...
分類：其它 時間：2007-12-18 閱讀：1452 關(guān)鍵詞：安森美半導(dǎo)體將推出后穩(wěn)壓、雙N溝道MOSFET驅(qū)動器
飛兆半導(dǎo)體推出N溝道MOSFET 為等離子體顯示板優(yōu)化空間
飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)推出全新的FDB2614(200V)和FDB2710(250V)N溝道MOSFET，這兩款產(chǎn)品經(jīng)專門設(shè)計，可為等離子體顯示板(PDP)應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先的系統(tǒng)效率和優(yōu)化的占位空間。利用飛兆
分類：光電顯示/LED照明 時間：2007-12-14 閱讀：1776 關(guān)鍵詞：飛兆半導(dǎo)體推出N溝道MOSFET 為等離子體顯示板優(yōu)化空間FDB2710FDB2614TO-263
