東芝發(fā)布了其 TCTH0xxxE 多點過溫報警 IC 系列的承諾擴展。
東芝發(fā)布了其 TCTH0xxxE 多點過溫報警 IC 系列的承諾擴展。 這些簡單 IC（品牌為“Thermoflagger”）中的每一個都與一個或多個 PTC（正溫度系數(shù)）熱敏電阻配合使用，以檢測 PCB 上的過溫情況，例如，可能感測多個...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-09-15 閱讀：589 關(guān)鍵詞：IC
電壓調(diào)節(jié)器及其相應(yīng)的規(guī)格
MS Kennedy 提供多種電壓調(diào)節(jié)器，可用于許多不同的應(yīng)用。盡管每個產(chǎn)品線都有自己的優(yōu)點，但它們也有許多共同的優(yōu)點。例如，我們所有的穩(wěn)壓器均采用軍用密封包裝，并可根據(jù)軍用或工業(yè)規(guī)格進行篩選。此外，大多數(shù)穩(wěn)壓...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-09-14 閱讀：1380 關(guān)鍵詞：電壓調(diào)節(jié)器
考慮到Si、SiC和GaAs的一般物理參數(shù)，SiC似乎是高頻功率器件的首選材料。它可以承受最高電場，從而使二極管具有非常高的擊穿電壓和低正向壓降。此外，它具有最低的熱阻，允許高通態(tài)電流密度。 然而，砷化鎵有一些...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-09-06 閱讀：1263 關(guān)鍵詞：肖特基二極管
所有高壓 MOSFET 和 IGBT SPICE 模型都一樣嗎？
如果有足夠的時間，大多數(shù)工程師都有正確的意圖。作為一名工程師，您多久想要了解電路應(yīng)用中每個部件的行為方式？是的——檢查一下。半導體公司的模型通常是否真實代表了電...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-09-06 閱讀：620 關(guān)鍵詞：MOSFET
新型 IGBT 已開發(fā)出來，具有反向阻斷能力。各種應(yīng)用都需要此功能，例如電流源逆變器、諧振電路、雙向開關(guān)或矩陣轉(zhuǎn)換器。本文介紹了單片芯片的技術(shù)及其運行行為，并通過典型...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-08-31 閱讀：620 關(guān)鍵詞： IGBT
功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表參數(shù)定義
本應(yīng)用筆記介紹了 IXYS 功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表中使用的參數(shù)定義。本文件介紹了基本的額定值和特性，例如溫度、能量、機械數(shù)據(jù)以及電流和電壓額定值。它還簡要描述了數(shù)據(jù)表中包...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-08-31 閱讀：484 關(guān)鍵詞：MOSFET
本應(yīng)用筆記解釋了 CDB150x-00 PFC 演示板中使用的升壓電感與電感器尺寸的影響。本文件還介紹了電感器所需浪涌功率的計算，其中必須將其乘以恒定功率和電感系數(shù) (CPLF)。 本應(yīng)用筆記解釋了 CDB150x-00 PFC 演示板...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-08-29 閱讀：514 關(guān)鍵詞：電感
TIA/EIA-485 和 TIA/EIA-422（也稱為 RS-485 和 RS-422）是電信行業(yè)協(xié)會/電子工業(yè)聯(lián)盟 (TIA/EIA) 發(fā)布的有線通信標準。它們使用差分信號在嘈雜的工業(yè)和工廠自動化環(huán)境中實...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-08-23 閱讀：735 關(guān)鍵詞：RS – 485
線性穩(wěn)壓器是最具成本效益的電源構(gòu)建模塊之一。它們簡單的拓撲和較小的占地面積使其成為預算設(shè)計和緊湊系統(tǒng)的絕佳選擇。存在三種不同類型的線性穩(wěn)壓器；標準、低壓差 (LDO) 和準 LDO。標準穩(wěn)壓器提供最低的接地引腳...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-08-31 閱讀：338 關(guān)鍵詞：線性穩(wěn)壓器
本文討論 Allegro 的電流傳感器集成電路 (IC) 及其直流電流能力和保險絲特性，以及 50 A 至 200 A 測量能力。它還具有兩種器件封裝（例如 LR 和 CB 封裝）、測試性能和布局指南。 Allegro MicroSystems, LLC 提供...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-08-23 閱讀：817 關(guān)鍵詞：電流傳感器
已知最常見的部件之一和最早的電子設(shè)備之一是功率二極管。其目的是限制電流在一個方向流動的能力，同時阻止電流在另一個方向流動。市場上有功率二極管，因為它們必須允許在...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-08-09 閱讀：1116 關(guān)鍵詞：功率二極管
Linear Technology 的 LT1025 是另一種用于冷端補償?shù)膯纹鉀Q方案。AD849x 包括內(nèi)部放大器和 CJC 電路，而 LT1025 僅產(chǎn)生冷端補償電壓。該 IC 的功能框圖如圖 5 所示。 ...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-08-04 閱讀：1279 關(guān)鍵詞：LT1025
在功率逆變器應(yīng)用中使用 WBG 半導體時選擇柵極電阻器的注意事項
如果設(shè)計需要出色功率效率的電子應(yīng)用，請考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)。與傳統(tǒng)的電子開關(guān)硅解決方案相比，這些新的寬帶隙技術(shù)具有顯著的優(yōu)勢。它們...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-08-02 閱讀：1305 關(guān)鍵詞：柵極電阻器
ROHM - 大功率、低阻值檢流電阻器的基礎(chǔ)與應(yīng)用
檢流電阻器的基礎(chǔ)知識 電路中的電流檢測技術(shù)多種多樣。其中最簡單和最常見的方法之一是使用專用的檢流電阻器。如下圖所示，這種電阻器有兩種用法。其一是圖左側(cè)的分流配...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-07-31 閱讀：1324 關(guān)鍵詞：低阻值檢流電阻器
R&S BBA300 射頻放大器的軟件包允許用戶通過簡單的 Web GUI 設(shè)置偏置點和高功率輸出。BBA300-PK1 軟件選項提供對放大器廣泛參數(shù)集的訪問，可用于各種應(yīng)用，從 EMI 抗擾...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-07-28 閱讀：1101 關(guān)鍵詞：寬帶放大器
許多降壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 IC 都采用電壓模式控制算法。因此，為了在連續(xù)導通模式下穩(wěn)定工作，應(yīng)用電路的輸出電容器通常采用高 ESR 鉭電容器，原因有兩個。ESR 產(chǎn)生的輸出紋波...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-07-25 閱讀：983 關(guān)鍵詞：電容器
該拓撲由輸入電容器 CIN、兩個 MOSFET 開關(guān) Q1 和 Q1、電源變壓器 T1、兩個鉗位二極管 D3 和 D4、兩個整流二極管 D1 和 D2 以及由 LO 和 Co 組成的輸出濾波器組成。 下...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-07-24 閱讀：973 關(guān)鍵詞：DSP
BJT 仍在使用，但晶體管領(lǐng)域目前由 MOSFET 主導。這些是場效應(yīng)晶體管 (FET)，在導電控制端子（稱為柵極）和連接其他兩個端子（稱為源極和漏極）的半導體結(jié)構(gòu)之間具有絕緣層。 “MOS”代表“金屬氧化物半導體”，...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-07-21 閱讀：1966 關(guān)鍵詞：MOSFET
AHB 是 AMBA 2.0 版本中的新成員。添加它是為了適應(yīng)高性能設(shè)計。添加的一些新功能包括分割事務(wù)、單周期總線主控切換、單時鐘邊沿操作以及更寬的數(shù)據(jù)總線配置（即 64/128 位）。 AHB 必須包含主設(shè)備和從設(shè)備之外的...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-07-21 閱讀：815 關(guān)鍵詞：高級微控制器
Qorvo 的新型 750V 第 4 代 SiC FET Qorvo (UnitedSiC) 最近宣布推出采用新型表面貼裝 TOLL 封裝的 750V/5.4mΩ SiC FET，擴大了公司的性能領(lǐng)先地位，并擴大了其突破性...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-07-21 閱讀：861 關(guān)鍵詞：碳化硅場效應(yīng)晶體管
