“異或”邏輯元件廣泛應(yīng)用于各種數(shù)字設(shè)備中。然而，在某些情況下，例如，當(dāng)使用更高的工作電壓時，使用標(biāo)準(zhǔn)芯片是不可能的。這個問題可以通過使用離散元來解決。如果標(biāo)準(zhǔn)的 AND 或 OR 邏輯元件很容易被二極管電阻電...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-06-01 閱讀：481 關(guān)鍵詞：晶體管
第一部分 選型及注意事項 1、電壓規(guī)格??器件上所承受的最高電壓要小于器件的額定電壓2、電流規(guī)格??一般使用的ICmax≦IC(nom)*70%3、電路結(jié)構(gòu)??由電氣方案決定電路結(jié)構(gòu)，然后選擇合適的模塊以符合電路結(jié)構(gòu)4、封裝??需...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-05-31 閱讀：851 關(guān)鍵詞：IGBT
我們在電源濾波電路上可以看到各種各樣的電容，比如100uF、10uF、100nF、10nF不同的容值。那么，這些參數(shù)是如何確定的呢？數(shù)字電路要運(yùn)行穩(wěn)定可靠，電源一定要“干凈”，并且能量補(bǔ)充一定要及時，也就是濾波去耦一定...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-08-31 閱讀：248 關(guān)鍵詞：電容
MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？三極管ON狀態(tài)時工作于飽和區(qū)，導(dǎo)通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-08-31 閱讀：263 關(guān)鍵詞：三極管
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動的MOS，導(dǎo)通時需要是柵極電壓大于源極電壓，而高端驅(qū)動的MOS管導(dǎo)通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統(tǒng)里，要得到比VCC大的電壓，就要專...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-08-31 閱讀：302 關(guān)鍵詞：MOSFET
每個新的電子設(shè)備都需要某種程度的功率調(diào)節(jié)。無論新產(chǎn)品是依靠電池，外部電源還是交流電源運(yùn)行，都需要為新系統(tǒng)設(shè)計一種調(diào)節(jié)策略。這可能涉及多個功率調(diào)節(jié)電路，通常帶有反...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-05-25 閱讀：630 關(guān)鍵詞：開關(guān)穩(wěn)壓器
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-08-31 閱讀：294 關(guān)鍵詞：MOS管
幾乎所有使用MCU的產(chǎn)品，外圍電路都離不開晶振電路設(shè)計，大多數(shù)電子設(shè)計人員從入門開始都會接觸到晶振電路，但實際上，很少有人真正了解晶振電路是如何工作的，在晶振出現(xiàn)問題之前，多數(shù)人不會付出太多精力去關(guān)注振...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-08-31 閱讀：266 關(guān)鍵詞：晶振
Y電容 Y電容是安規(guī)電容的一種，安規(guī)電容是指用于這樣的場合：即電容器失效后，不會導(dǎo)致電擊也不會不危及人身安全。也就是因為這樣安規(guī)電容與其他普通的電容有著不一樣的地方，普通的電容在電源斷開之后很長一段時...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-08-31 閱讀：269 關(guān)鍵詞：電容
01 MOS管種類&結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-05-22 閱讀：568 關(guān)鍵詞：MOS管
LDO，全稱低壓差線性穩(wěn)壓器（Low Dropout Regulator），屬于線性電源，應(yīng)用時所需要的外接元件較少，一些型號的LDO只需在輸入端和輸出端各接一個濾波電容。通過電阻R1、R2對輸出電壓進(jìn)行采樣，將采集的電壓與基準(zhǔn)電...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-05-22 閱讀：829 關(guān)鍵詞：LDO
晶體管的開關(guān)速度即由其開關(guān)時間來表征，開關(guān)時間越短，開關(guān)速度就越快。BJT的開關(guān)過程包含有開啟和關(guān)斷兩個過程，相應(yīng)地就有開啟時間ton和關(guān)斷時間toff，晶體管的總開關(guān)時間就是ton與toff之和。如何提高晶體管的開...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-05-22 閱讀：570 關(guān)鍵詞：三極管
在電子行業(yè)中，靜電放電（簡稱ESD）對產(chǎn)品的危害是極大的。特別是在干燥的冬天，有時候你的電路突然就工作不正常了，然后找原因突然發(fā)現(xiàn)某個元件不知所以的壞掉了。除了注意不要隨意用手觸摸電路板及電子元件等常規(guī)...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-05-20 閱讀：968 關(guān)鍵詞：TVS二極管
首先，電感（線圈）具有以下基本特性，稱之為“電感的感性電抗”?①直流基本上直接流過。?②對于交流，起到類似電阻的作用。?③頻率越高越難通過。下面是表示電感的頻率和阻抗特性的示意圖。在理想電感器中，阻抗隨...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-05-20 閱讀：695 關(guān)鍵詞：電感
在單片機(jī)應(yīng)用電路中三極管主要的作用就是開關(guān)作用。PNP與NPN兩種三極管使用方法上圖中，橫向左側(cè)的引腳叫做基極b，有一個箭頭的是發(fā)射極e，剩下的一個引腳就是集電極 c。首先來說一下NPN型，這種型號的三極管在用于...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-05-20 閱讀：881 關(guān)鍵詞：三極管
1繼電器的構(gòu)造和工作原理電磁繼電器是一種常見的繼電器，其中4098型超小型繼電器使用最為廣泛。－24是這種繼電器的結(jié)構(gòu)示意圖—24 4098型繼電器繼電器的工作原理是，當(dāng)繼電器線圈通電后，線圈中的鐵芯產(chǎn)生強(qiáng)大的電磁...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-05-19 閱讀：583 關(guān)鍵詞：繼電器
LDO穩(wěn)壓器如何才能實現(xiàn)輸出電壓的穩(wěn)定和精確
穩(wěn)壓器在想要從不穩(wěn)定或可變的電源中獲得穩(wěn)定電源電壓的應(yīng)用至關(guān)重要。這類電源包括逐漸放電式的電池或整流后的交流電壓等。而對開關(guān)穩(wěn)壓器產(chǎn)生的噪聲或殘留交流紋波較敏感的應(yīng)用，包括射頻收發(fā)器、Wi-Fi模塊和光學(xué)...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-05-19 閱讀：640 關(guān)鍵詞：LDO穩(wěn)壓器
肖特基二極管以發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名。SBD（Schottky Barrier Diode）是肖特基勢壘二極管的縮寫。不同于一般二極管的P半導(dǎo)體和N半導(dǎo)體接觸形成，肖特基二極管是利用金屬和半導(dǎo)體接觸形成。肖特基的兩個...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-08-31 閱讀：381 關(guān)鍵詞：肖特基二極管
IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGBT初始狀態(tài)為關(guān)斷狀態(tài)，即VGE為負(fù)壓VGC-，后級輸出為阻感性負(fù)載，帶有...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-08-31 閱讀：494 關(guān)鍵詞：IGBT開關(guān)
運(yùn)算放大器在輸入為0V的時候，輸出不一定為0V，可能幾十uV到幾mv，這個叫做運(yùn)算放大器的直流偏置，如果放大倍數(shù)比較大的話，這個直流偏置也會被放大，為了消除直流偏置，在運(yùn)放的電源端和輸入端加一個幾M的電阻，或...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-08-31 閱讀：328 關(guān)鍵詞：電阻
