TVS二極管防浪涌部分特性解析

1:Pppm最大峰值脈沖功率 600W，通過(guò)10/1000us波形測(cè)試得到(Single Die)。這個(gè)參數(shù)是TVS瞬間承受的最大功率。如圖可知功率值等于最大鉗位電壓Vc和最大峰值脈沖電流Ipp的乘積。2:Vr最大反向工作電壓，無(wú)操作即可施加到...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-09 閱讀：721 關(guān)鍵詞：TVS二極管

當(dāng)二極管根本不夠好時(shí)：超級(jí)二極管

這篇文章是 AAC 的模擬電路集的一部分，討論了一個(gè)有趣的電路，其中運(yùn)算放大器和普通二極管一起工作以創(chuàng)建超級(jí)二極管。二極管是我們最早了解的電子元件之一。它們的重要性可能不會(huì)立即變得清晰——但一段時(shí)間后，我...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-09 閱讀：868 關(guān)鍵詞：二極管

電源工程師必須要了解的MOS管GS波形

對(duì)于咱們電源工程師來(lái)講，很多時(shí)候都在波形，看輸入波形，MOS開(kāi)關(guān)波形，電流波形，輸出二極管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，拿開(kāi)關(guān)GS波形為例來(lái)聊一下GS的波形。測(cè)試MOS管GS波形時(shí)，有時(shí)會(huì)看到下圖中的這種波形，...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-08 閱讀：597 關(guān)鍵詞：MOS管

IGBT模塊是如何失效的？

1、IGBT模塊結(jié)構(gòu)IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個(gè)芯片之間通過(guò)鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，最后用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-08 閱讀：445 關(guān)鍵詞：IGBT

電容降壓是怎么一回事？

一、電容降壓原理電容降壓的工作原理是利用電容在一定的交流信號(hào)頻率下產(chǎn)生的容抗來(lái)限制最大工作電流。例如，在50Hz的工頻條件下，一個(gè)1uF的電容所產(chǎn)生的容抗約為3180歐姆。當(dāng)220V的交流電壓加在電容器的兩端，則流...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-08 閱讀：545 關(guān)鍵詞：電容

通過(guò)功率 MOSFET 技術(shù)創(chuàng)新加速提高效率

MOSFET 技術(shù)自問(wèn)世以來(lái)就被廣泛認(rèn)為是電源管理電路中開(kāi)關(guān)的絕佳選擇。自 20 世紀(jì) 70 年代后期開(kāi)始商用，垂直擴(kuò)散 MOSFET (VDMOS) 結(jié)構(gòu)率先滿足了電源開(kāi)關(guān)的需求。1由于其卓越的開(kāi)關(guān)性能和高輸入阻抗，MOSFET 迅速成...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-08 閱讀：824 關(guān)鍵詞：MOSFET

開(kāi)關(guān)管MOSFET的功耗分析和功耗優(yōu)化

一、引言MOSFET作為主要的開(kāi)關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少M(fèi)OSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會(huì)引起更嚴(yán)重的E...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-06-30 閱讀：352 關(guān)鍵詞：MOSFET

I2C 設(shè)計(jì)數(shù)學(xué)：電容和電阻

了解 I 2 C 及其帶來(lái)的一些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，包括邏輯閾值、影響電容的因素以及最小和最大上拉電阻。本文介紹了哪些變量會(huì)影響總線的電容。它還著眼于用于確定上拉電阻大小和確定電路走線的最大長(zhǎng)度的數(shù)學(xué)計(jì)算。讓我們從討...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-05 閱讀：1231 關(guān)鍵詞：電容,電阻

MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用

本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用，分析了MOSFET損耗特點(diǎn)，提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。一、引言MOSFET作為主要的開(kāi)關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-04-28 閱讀：1091 關(guān)鍵詞：MOSFET

什么是線性穩(wěn)壓器？

電子系統(tǒng)接收的電源電壓通常高于系統(tǒng)電路所需的電壓。例如，一個(gè) 9 V 電池可用于為需要 0 至 5 V 輸入范圍的放大器供電，或者兩個(gè)串聯(lián)的 1.5 V 電池可為包含 1.8 V 數(shù)字邏輯的電路供電。在這種情況下，我們需要使用...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-04-28 閱讀：872 關(guān)鍵詞：線性穩(wěn)壓器

安規(guī)電容選擇和應(yīng)用

一、安規(guī)電容安規(guī)電容之所以稱之為安規(guī)，它是指用于這樣的場(chǎng)合：即電容器失效后，不會(huì)導(dǎo)致電擊，也不危及人身安全。安規(guī)電容包含X電容和Y電容兩種，它普通電容不一樣的是，普通電容即使在外部電源斷開(kāi)之后，它內(nèi)部?jī)?chǔ)...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-04-27 閱讀：1031 關(guān)鍵詞：安規(guī)電容

結(jié)型二極管的特性

在本文中，我們將研究結(jié)型二極管的特性，并學(xué)習(xí)如何分析包含在正向、反向和擊穿偏壓下工作的二極管的電路。結(jié)型二極管特性二極管最常見(jiàn)的應(yīng)用之一是 pn 結(jié)。該 pn 結(jié)可用于操作和實(shí)現(xiàn)二極管的功能，因?yàn)樗梢栽谡?..

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-04-27 閱讀：900 關(guān)鍵詞：結(jié)型二極管

為什么IGBT是最適合斬波應(yīng)用的器件

斬波是電力電子控制中的一項(xiàng)變流技術(shù)，其實(shí)質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制，因其波形如同斬切般整齊、對(duì)稱，故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位，它不僅關(guān)系到調(diào)速的技術(shù)性能，而且直接影響設(shè)備的運(yùn)行安全和...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-04-26 閱讀：577 關(guān)鍵詞：IGBT

圖像傳感器技術(shù)簡(jiǎn)介，從光子到電子

在這一點(diǎn)上，電子電路已經(jīng)取代膠片成為記錄光的主要手段是不言而喻的。數(shù)以億計(jì)（如果不是數(shù)十億）的人生活在智能手機(jī)觸手可及的地方，而智能手機(jī)也是相機(jī)，其中許多人可能對(duì)使用膠片相機(jī)而不是電子設(shè)備拍照的可能性...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-04-26 閱讀：677 關(guān)鍵詞：圖像傳感器

總結(jié)肖特基勢(shì)壘二極管對(duì)寬帶隙材料的利用

隨著半導(dǎo)體器件的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，制造高能效產(chǎn)品成為研究人員和制造商的首要關(guān)注點(diǎn)。 肖特基勢(shì)壘二極管 (SBD) 是引起研究人員和制造商興趣以實(shí)現(xiàn)高功率和高溫應(yīng)用目標(biāo)的一個(gè)關(guān)鍵組件。由于碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (G...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-04-25 閱讀：718 關(guān)鍵詞：二極管

Nexperia 的溝槽肖特基二極管提高電源效率

通常，異步開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 的主要損耗源是二極管的非理想特性。解決此問(wèn)題的一種方法是使用同步 SMPS，其中二極管被受控 MOSFET 開(kāi)關(guān)取代。這種方法肯定會(huì)提高效率；然而，它是以增加電路和需要精確控制為代價(jià)...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-04-25 閱讀：695 關(guān)鍵詞：肖特基二極管

羅姆在打印機(jī)用激光二極管市場(chǎng)的布局與優(yōu)勢(shì)

打印機(jī)是我們工作和生活中常見(jiàn)的一類(lèi)OA產(chǎn)品，根據(jù)不同的工作方式，主流的打印機(jī)可以分為：激光打印機(jī)、噴墨打印機(jī)和針式打印機(jī)。相比噴墨打印機(jī)和針式打印機(jī)，激光打印機(jī)具有分辨率高、打印速度快、堅(jiān)固耐用等特點(diǎn)，...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-04-24 閱讀：631 關(guān)鍵詞：音頻

三極管基極靜態(tài)偏置電流作用

了解基極靜態(tài)偏置電流作用 偏置電路的作用是給三極管提供基極直流電流，這一電流又稱基極靜態(tài)偏置電流。 只有當(dāng)三極管工作在放大狀態(tài)時(shí)，才給三極管提供靜態(tài)偏置電流，而這一電流是保證三極管工作在放大狀態(tài)的...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-04-24 閱讀：705 關(guān)鍵詞：三極管

詳解MOS管的20種參數(shù)

最大額定參數(shù)最大額定參數(shù)，所有數(shù)值取得條件：(Ta=25℃)1、VDSS 最大漏-源電壓在柵源短接，漏-源額定電壓(VDSS)是指漏-源未發(fā)生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據(jù)溫度的不同，實(shí)際雪崩擊穿電壓可能低于額定VDSS。...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-04-24 閱讀：846 關(guān)鍵詞：MOS管

射頻設(shè)計(jì)時(shí)的電容Q值D值

在做射頻的時(shí)候，選擇電感電容時(shí)特別關(guān)注他們的Q值，那什么是Q值呢？Q值是什么意思，它為什么重要？品質(zhì)因數(shù)Q：表征一個(gè)儲(chǔ)能器件(如電感線圈、電容等)、諧振電路所儲(chǔ)能量同每周損耗能量之比的一種質(zhì)量指標(biāo)。元件的Q...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-07-17 閱讀：282 關(guān)鍵詞：射頻,電容