電阻的特性阻抗

歐姆定律的公式：電阻作為物理概念是一種阻礙電流通過的能力，是一個(gè)用來提供“分壓”或 “限流”功能的一個(gè)元器件，這個(gè)元器件的名稱叫“電阻器”，你們做題時(shí)計(jì)算的電阻是該電阻器對(duì)電流通過的阻礙能力。我們通過...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-19 閱讀：422 關(guān)鍵詞：電阻

一文教你三極管驅(qū)動(dòng)電阻應(yīng)該如何進(jìn)行選擇

一、三極管基本介紹 三極管是一種電流控制器件，可以作為無觸點(diǎn)開關(guān)，經(jīng)常被用于開關(guān)電路當(dāng)中，通過輸入信號(hào)來控制三極管的導(dǎo)通與斷開，進(jìn)而接通和切斷電路，三極管具有3個(gè)電極：發(fā)射極（E）、集電極（C）、基極...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-18 閱讀：658 關(guān)鍵詞：三極管

了解短溝道 MOS 晶體管中的漏電流成分

MOS 晶體管正在按比例縮小，以最大限度地提高集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化物厚度的減少，進(jìn)而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-18 閱讀：549 關(guān)鍵詞：MOS 晶體管

功率MOS管損壞的典型

第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運(yùn)行斷開時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-17 閱讀：4893 關(guān)鍵詞：功率MOS管

高壓陶瓷電容基礎(chǔ)知識(shí)介紹

在電容的行業(yè)中，不同的電容有不同的用處，各自都有自身的優(yōu)勢(shì)，并廣泛的運(yùn)用于機(jī)械設(shè)備中。不過也有很多人不太了解電容的知識(shí)，下面解說下高壓陶瓷電容。 高壓陶瓷電容 高壓陶瓷電容器，即使用在電力系統(tǒng)中的...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-17 閱讀：554 關(guān)鍵詞：高壓陶瓷電容

電容降壓相關(guān)知識(shí)你需要了解的都在這里！

一、電容降壓原理電容降壓的工作原理是利用電容在一定的交流信號(hào)頻率下產(chǎn)生的容抗來限制最大工作電流。例如，在50Hz的工頻條件下，一個(gè)1uF的電容所產(chǎn)生的容抗約為3180歐姆。當(dāng)220V的交流電壓加在電容器的兩端，則流...

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ROHM開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產(chǎn)品（40V/60V/80V/100V/150V），這些產(chǎn)品非常適合驅(qū)動(dòng)以24V、36V、48V級(jí)電源供電的應(yīng)用，例如基站和服務(wù)器...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-16 閱讀：1248 關(guān)鍵詞： MOSFET

WPG - 大聯(lián)大推出基于ST產(chǎn)品的22KW OBC結(jié)合3KW DC/DC汽車充電器方案

致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚集團(tuán)推出與意法半導(dǎo)體（ST）共同開發(fā)的基于STELLAR-E1系列SR5E1芯片的22KW OBC結(jié)合3KW DC/DC直流輸出汽車充電器方案。 圖示1-大聯(lián)大友...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-16 閱讀：1097 關(guān)鍵詞：DC/DC汽車充電器

細(xì)說MOS管的靜電擊穿

其實(shí)MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電，又因在靜電較強(qiáng)的場(chǎng)合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。而靜電擊穿有兩種方式，電壓型及功率...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-16 閱讀：529 關(guān)鍵詞：MOS管

IGBT的功能特點(diǎn)及原理介紹

所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡(jiǎn)單講，是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-15 閱讀：758 關(guān)鍵詞：IGBT

基于PID調(diào)節(jié)器的壓力控制系統(tǒng)

基于人工智能算法的壓力控制系統(tǒng)，通過智能PID調(diào)節(jié)器實(shí)現(xiàn)對(duì)水箱主管路壓力的動(dòng)態(tài)控制。主控制對(duì)象為設(shè)備下水箱主管路中的瞬時(shí)壓力，實(shí)驗(yàn)過程以水作為被控介質(zhì)，壓力變送器作變送單元，PID調(diào)節(jié)器作為調(diào)節(jié)單元，變頻器...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-12 閱讀：921 關(guān)鍵詞：PID調(diào)節(jié)器

整流濾波一口氣講完

一般直流穩(wěn)壓電源都使用220伏市電作為電源，經(jīng)過變壓、整流、濾波后輸送給穩(wěn)壓電路進(jìn)行穩(wěn)壓，最終成為穩(wěn)定的直流電源。這個(gè)過程中的變壓、整流、濾波等電路可以看作直流穩(wěn)壓電源的基礎(chǔ)電路，沒有這些電路對(duì)市電的前...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-12 閱讀：550 關(guān)鍵詞：整流濾波

肖特基二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和伏安特性

肖特基二極管，屬于大電流、低功耗、低壓、超高速半導(dǎo)體功率器件。它的正向?qū)▔航祪H為0.4V左右，反向恢復(fù)時(shí)間極短，可小至幾納秒；其整流電流可高達(dá)幾百至幾千安培。這些優(yōu)良性能是快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管所不具備...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-12 閱讀：1027 關(guān)鍵詞：肖特基二極管

十種電感的特性

電感的分類按電感形式分類：固定電感、可變電感。按導(dǎo)磁體性質(zhì)分類：空芯線圈、鐵氧體線圈、鐵芯線圈、銅芯線圈。按工作性質(zhì)分類：天線線圈、振蕩線圈、扼流線圈、陷波線圈、偏轉(zhuǎn)線圈。按繞線結(jié)構(gòu)分類：?jiǎn)螌泳€圈、多...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-11 閱讀：752 關(guān)鍵詞：電感

電阻的串聯(lián)、并聯(lián)及混聯(lián)電路作用與公式

將兩個(gè)或兩個(gè)以上電阻依次連接起來，中間無分支的連接方式叫做串聯(lián)。如圖。電阻串聯(lián)電路具有以下特點(diǎn)：（1）流過每個(gè)電阻的電流都相等，即電流強(qiáng)度處處相等。（2）電路兩端的總電壓等于各電阻兩端的電壓之和。（3） ...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-11 閱讀：587 關(guān)鍵詞：電阻

二極管組成的各種整流電路介紹

電力網(wǎng)供給用戶的是交流電,而各種無線電裝置需要用直流電。整流,就是把交流電變?yōu)橹绷麟姷倪^程。利用具有單向?qū)щ娞匦缘钠骷?可以把方向和大小交變的電流變換為直流電。下面介紹利用晶體二極管組成的各種整流電路。...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-11 閱讀：511 關(guān)鍵詞：二極管

開關(guān)管MOSFET的功耗分析及優(yōu)化

一、引言MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少M(fèi)OSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會(huì)引起更嚴(yán)重的E...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-10 閱讀：505 關(guān)鍵詞：開關(guān)管MOSFET

功率MOS管損壞的典型案例

第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運(yùn)行斷開時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-10 閱讀：510 關(guān)鍵詞：MOS管

5種特殊三極管的檢測(cè)詳解

三極管是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié)，兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-10 閱讀：640 關(guān)鍵詞：三極管

自恢復(fù)保險(xiǎn)絲PTC在電氣類產(chǎn)品的過流保護(hù)詳解

PTC是Positive Temperature Coefficient 的英文字頭縮寫，意思是正的溫度系數(shù)，泛指正溫度系數(shù)的半導(dǎo)體材料或元器件；若其阻值隨著環(huán)境溫度的升高而升高；相對(duì)應(yīng)的有NTC，則是Negative Temperature Coefficient的英...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-10 閱讀：751 關(guān)鍵詞：自恢復(fù)保險(xiǎn)絲