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元器件應用

如何選擇合適的超級電容器

這些就是超級電容器的基本原理及其所發(fā)揮的一些作用。但如何為所需的應用選擇正確的設備呢? 圖 3 是一個很好的起點,因為它在較高層面上說明了一些需要考慮的初始因素。例如,如果最終應用需要更長的備份時間,...

分類:元器件應用 時間:2023-07-20 閱讀:1156 關鍵詞:超級電容器

確定線性穩(wěn)壓器的包裝限制范圍

工程師喜歡低壓差 (LDO) 線性穩(wěn)壓器,因為它們簡單、易于使用、價格低廉和低噪聲。典型的線性穩(wěn)壓器僅需要幾個外部電容器和電阻器即可完全實現(xiàn) DC/DC 轉換器。 通常,工程師根據(jù)數(shù)據(jù)表前面列出的一些規(guī)格來選擇線...

分類:元器件應用 時間:2023-07-14 閱讀:1260 關鍵詞:線性穩(wěn)壓器

電阻立方體的問題

這個問題起源于上一個冰河時代中期的某個時候,就在一次成功的乳齒象狩獵之后。循環(huán)分析或節(jié)點分析將產生與此處所示相同的答案,但需要更多的腦力勞動。有時,如果我們保持...

分類:元器件應用 時間:2023-07-14 閱讀:23494 關鍵詞:電阻立方體

RTD 電阻溫度特性建模

圖 1 中的藍色曲線顯示了根據(jù) DIN/ IEC 60751標準構建的 100 Ω 鉑 RTD 的電阻-溫度特性。該標準要求傳感器在 0 °C 和 100 °C 時分別表現(xiàn)出 100 Ω 和 138.5 Ω。 RTD 電阻-溫度特性圖。 圖 1. RTD 電阻-溫...

分類:元器件應用 時間:2023-07-12 閱讀:1098 關鍵詞:RTD 電阻

X 類和 Y 類電容器的額定值

X 類和 Y 類電容器的分類依據(jù): 他們的峰值電壓/額定電壓和 他們可以安全承受的峰值脈沖電壓。 下面的表 1 和表 2 總結了 X 類和 Y 類電容器的子類。 表 1. X 類子類評級* 表 2. Y 類子類評級* * ...

分類:元器件應用 時間:2023-07-12 閱讀:844 關鍵詞:Y 類電容器

設計節(jié)能螺線管驅動器

螺線管是機電執(zhí)行器,具有可自由移動的磁芯(稱為柱塞)。一般來說,螺線管由螺旋線圈和鐵制成的移動鐵芯組成。 當電流通過螺線管線圈時,其內部會產生磁場。該磁場產生...

分類:元器件應用 時間:2023-07-10 閱讀:996 關鍵詞:節(jié)能螺線管驅動器

MOS 晶體管結構

MOS晶體管結構由金屬、氧化物和半導體結構(因此,MOS)組成。 考慮具有 p 襯底和 n+ 擴散阱作為漏極和源極端子的 NMOS 晶體管。氧化物層由SiO 2制成并且生長在漏極和源...

分類:元器件應用 時間:2023-07-07 閱讀:20327 關鍵詞:SDR,DDR

Transphorm推出SuperGaN FET 的低成本驅動器解決方案

新世代電力系統(tǒng)的未來, 氮化鎵(GaN)功率轉換產品的全球領先供應商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)發(fā)布了一款高性能、低成本的驅動器解決方案。這款設計方案面向中低功率的應用,適用于LED照明、充電、微型逆變器...

分類:元器件應用 時間:2023-07-05 閱讀:1777 關鍵詞:氮化鎵(GaN)功率轉換

功率晶體管應用的三個維度

幫助我們了解哪種功率晶體管技術最適合您的功率級設計。重申一下,這些是最大工作電壓、最大工作電流和最大開關頻率。 這些和其他數(shù)據(jù)表參數(shù)為設計人員提供了做出深思熟慮的設計決策所需的技術信息。但設計人員通...

分類:元器件應用 時間:2023-07-05 閱讀:1082 關鍵詞:功率晶體管

對電阻溫度檢測器 (RTD) 的特性曲線

圖 1 中的藍色曲線顯示了根據(jù) DIN/ IEC 60751標準構建的 100 Ω 鉑 RTD 的電阻-溫度特性。該標準要求傳感器在 0 °C 和 100 °C 時分別表現(xiàn)出 100 Ω 和 138.5 Ω。 RTD...

分類:元器件應用 時間:2023-07-03 閱讀:832 關鍵詞:電阻溫度檢測器

熱敏電阻基礎知識

熱敏電阻(即Thermal Resistor )是一種溫度傳感器件,其電阻是其溫度的函數(shù)。 熱敏電阻有兩種類型:PTC(正溫度系數(shù))和NTC(負溫度系數(shù))。PTC熱敏電阻的電阻隨著溫度的升高而增加。相比之下,NTC 熱敏電阻的電...

分類:元器件應用 時間:2023-07-03 閱讀:1204 關鍵詞:熱敏電阻

正常偏置的共源配置 N 溝道 JFET 的標準布置和連接

該圖顯示了在有源區(qū)域使用時具有正常偏置的共源配置 N 溝道 JFET 的標準布置和連接。這里,柵源電壓 V GS等于柵極電源或輸入電壓 V G,它設置柵極和源極之間的反向偏置,而...

分類:元器件應用 時間:2023-06-28 閱讀:928 關鍵詞:N 溝道 JFET

光電晶體管的結構和特性

在 NPN 晶體管中,集電極相對于發(fā)射極正向偏置,使得基極/集電極結反向偏置。因此,在結處沒有光的情況下,正常漏電流或暗電流流動非常小。當光落在基極上時,該區(qū)域會形成更多的電子/空穴對,并且該作用產生的電流...

分類:元器件應用 時間:2023-06-27 閱讀:827 關鍵詞:光電晶體管

光電二極管的結構和特性

當用作光傳感器時,天竺葵光電二極管的暗電流(0 勒克斯)約為 10uA,硅型二極管約為 1uA。當光照射到結上時,會形成更多的空穴/電子對,漏電流也會增加。該漏電流隨著結的照度的增加而增加。 因此,光電二極管電...

分類:元器件應用 時間:2023-06-27 閱讀:993 關鍵詞:光電二極管

555定時器框圖示例

引腳1。 – 接地,接地引腳將555 定時器連接到負(0v) 電源軌。 引腳 2。 – 觸發(fā)器,比較器 1 的負輸入。當電壓降至 1/3Vcc 以下時,該引腳上的負脈沖“設置”內部觸發(fā)器...

分類:元器件應用 時間:2023-06-21 閱讀:942

高精度的電量計算法

電量計是負責計算電池估計 SOC 的 IC。電量計算法可以部署在主 MCU 中,但專用電量計 IC 有很多優(yōu)點,包括: 效率:電量計降低了 MCU 的計算要求,從而使整個系統(tǒng)更加高效。 可靠性:久經考驗的電量計 IC 通過...

分類:元器件應用 時間:2023-06-21 閱讀:882 關鍵詞:電量計算法

超級電容器的應用

需要一個 5.5 伏、1.5 法拉的超級電容器作為電子電路的能量存儲備用設備。如果超級電容器由單個 2.75v、0.5F 電池制成,請計算所需的電池數(shù)量和陣列布局。 超級電容電壓...

分類:元器件應用 時間:2023-06-20 閱讀:835 關鍵詞:超級電容器

超級電容器結構

雙面涂層電極由活性導電碳、碳納米管或碳??凝膠形式的石墨碳制成。稱為分離器的多孔紙膜將電極分開,但允許正離子通過,同時阻擋較大的電子。紙質隔板和碳電極都浸有液體電解質,兩者之間使用鋁箔作為集電器,與超級...

分類:元器件應用 時間:2023-06-20 閱讀:598 關鍵詞:電容器

電容器的基礎教程

正如我們將在本電容器教程中看到的, 電容器 是能夠在其板上存儲電荷的能量存儲設備。因此,電容器由于其存儲電荷的能力而存儲能量,并且理想的電容器不會丟失其存儲的能量。 電容器最簡單的結構是使用兩個平行的...

分類:元器件應用 時間:2023-06-19 閱讀:539 關鍵詞:電容器

使用 GaN FET 器件實現(xiàn)的高效升壓電路示例

氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 是下一代射頻功率晶體管技術的一部分,它們是新型高頻器件,它們是遷移率更高,允許以最小的功耗和更低的傳導損耗傳輸高電流率。 ...

分類:元器件應用 時間:2023-06-16 閱讀:657 關鍵詞: GaN FET 器件

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