熱敏電阻（Thermistor）是一種電阻值隨溫度變化的電氣元件。它主要有兩種類型：**負(fù)溫度系數(shù)（NTC）熱敏電阻和正溫度系數(shù)（PTC）**熱敏電阻。 熱敏電阻的主要作用包括以下幾個(gè)方面： 1. 溫度測(cè)量與控制： ...
在電能傳輸中眾所周知的事實(shí)是，低壓系統(tǒng)中的歐姆損耗對(duì)效率的影響比高壓系統(tǒng)中的更大。正是出于這個(gè)原因，手機(jī)和平板電腦充電的新標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)制定（USB-PD），允許這些設(shè)備通過 9V、12V 甚至 20V 電源充電，而早期的標(biāo)...
什么是零歐姆電阻以及它們?nèi)绾卧陔娐吩O(shè)計(jì)中使用？
什么是零歐姆電阻？ 術(shù)語(yǔ)“零歐姆電阻器”只是一種方便的說法，指的是像普通電阻器（現(xiàn)在通常是表??面貼裝電阻器）一樣封裝的跳線。為什么有人想要使用這些組件？ 設(shè)計(jì)可擴(kuò)展的 PCB 首先，它們提供了一種簡(jiǎn)...
量子力學(xué)的有序世界從根本上來說是基于線性算子理論的。各個(gè)物理量（能量、沖量、角動(dòng)量等）由作用于希爾伯特空間（歐幾里得空間的復(fù)數(shù)等價(jià)物）中振蕩的函數(shù)的算子來表示。這種范式使得我們所目睹的半導(dǎo)體器件（近年...
分類：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2025-01-08 閱讀：310 關(guān)鍵詞：金屬超導(dǎo)性
步驟 1 – 柵極驅(qū)動(dòng)器選擇 驅(qū)動(dòng) GaN 增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管 (E-HEMT) 的柵極與驅(qū)動(dòng)硅 (Si) MOSFET 的柵極有相似之處，但也有一些有益的區(qū)別。 驅(qū)動(dòng) GaN E-HEMT 并...
Nano SIM卡座是一種專門設(shè)計(jì)用于容納 Nano SIM卡 的插槽或接口。它通常用于智能手機(jī)、平板電腦、移動(dòng)設(shè)備等中，允許設(shè)備與移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)連接。與早期的標(biāo)準(zhǔn)SIM卡（如Mini SIM卡）和Micro SIM卡相比，Nano SIM卡具有更小的...
分類：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2025-01-03 閱讀：1047 關(guān)鍵詞：NANO SIM卡座
您可能很清楚，現(xiàn)代電氣工程乃至整個(gè)現(xiàn)代世界都與晶體管設(shè)備有著千絲萬縷的聯(lián)系。這些組件既充當(dāng)開關(guān)又充當(dāng)放大器。盡管場(chǎng)效應(yīng)晶體管目前在電子領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位，但最初的晶體管是雙極晶體管，并且很快第一個(gè)雙極結(jié)...
二極管（Diode） 是一種電子元件，允許電流在一個(gè)方向上流動(dòng)，而在另一個(gè)方向上阻止電流的流動(dòng)。它是最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體器件之一，廣泛應(yīng)用于整流、電路保護(hù)、信號(hào)調(diào)制等領(lǐng)域。 1. 二極管的構(gòu)造 二極管的核心構(gòu)造...
許多過程控制傳感器，例如熱敏電阻和應(yīng)變計(jì)電橋，都需要精確的偏置電流。通過添加單個(gè)電流設(shè)置電阻器 R 1，您可以配置電壓參考電路 IC 1 以產(chǎn)生恒定且精確的電流源（圖 1 ...
電感器繞組由導(dǎo)體材料制成，該導(dǎo)體材料可以是單根圓線或稱為利茲線的獨(dú)特多股導(dǎo)體。利茲絲的優(yōu)點(diǎn)是減少集膚效應(yīng)。設(shè)導(dǎo)體的橫截面積為 AC并說它正在轉(zhuǎn) N 圈。然后，導(dǎo)體覆蓋...
功率磁芯和高導(dǎo)磁芯的定義與特征 磁芯是電感、變壓器等磁性元件中的核心部件，其作用是提供一個(gè)低損耗的磁通路徑，以便高效地傳遞和儲(chǔ)存磁能。功率磁芯和高導(dǎo)磁芯是兩類常見的磁性材料，它們?cè)诖判栽O(shè)備中有著不同...
氧化鎵異質(zhì)結(jié)二極管展現(xiàn)了雪崩和浪涌穩(wěn)健性
2 英寸摻錫 （001）-Ga2O3基板是設(shè)備制造的起點(diǎn)。漂移區(qū)由 10 μm 厚的硅摻雜 n-Ga 組成2O3載流子濃度為 ~1.7 × 10 的層16/厘米3.外延片可從 Novel Crystal Technology（...
分類：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2024-12-17 閱讀：385 關(guān)鍵詞：氧化鎵異質(zhì)結(jié)二極管
在本教程中，我們將學(xué)習(xí) Hartree 算法。這是一個(gè)非分析封閉程序，通過連續(xù)近似的迭代過程，我們可以在考慮相互庫(kù)侖相互作用的情況下確定固體中電子的量子力學(xué)狀態(tài)。在第 0 ...
分類：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2024-12-16 閱讀：465 關(guān)鍵詞：金屬導(dǎo)電電子
IGBT，代表絕緣柵雙極晶體管。它是具有絕緣柵極端子的雙極晶體管。它將控制輸入與 MOS 結(jié)構(gòu)和雙極功率晶體管結(jié)合在單個(gè)器件中，充當(dāng)輸出開關(guān)！ IGBT原理 IGBT 是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，結(jié)合了雙極結(jié)型...
分類：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2024-12-13 閱讀：687 關(guān)鍵詞：IGBT基礎(chǔ)
- 高速PCB阻抗控制核心實(shí)操規(guī)范
- 高速數(shù)字系統(tǒng)（如DDR、SerDes）中的信號(hào)完整性濾波
- MOSFET在UPS電源中的應(yīng)用解析
- 電源管理IC在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的應(yīng)用
- SMT連接器焊接缺陷分析
- MOSFET在汽車電子中的應(yīng)用要求
- 通信設(shè)備電源管理IC應(yīng)用解析
- 通信設(shè)備連接器選型與設(shè)計(jì)
- PCB電磁兼容性（EMC）設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)低功耗設(shè)計(jì)：信號(hào)鏈中的濾波與功耗管理
