深入剖析 GaN HEMT 器件：結(jié)構(gòu)、工作模式與應(yīng)用前景
在半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展的今天，GaN HEMT 器件憑借其獨特的性能優(yōu)勢，在電子領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。繼上一篇屏蔽柵 MOSFET 技術(shù)簡介后，我們這次將深入介紹 GaN HEMT 器件的結(jié)構(gòu)、工作模式、應(yīng)用領(lǐng)域以及面臨的...
分類：基礎(chǔ)電子 時間：2025-09-03 閱讀：512 關(guān)鍵詞：GaN HEMT 器件
U8726AHE 氮化鎵電源 IC 集成高壓 E - GaN 和啟動電路優(yōu)勢
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片尺寸持續(xù)縮小。在這一過程中，一個關(guān)鍵問題逐漸凸顯：電場強度會隨芯片尺寸的減小而線性增加。若電源電壓保持恒定，產(chǎn)生的電場強度極有可能...
時間：2025-08-20 閱讀：632 關(guān)鍵詞：氮化鎵電源 IC
基于 TI GaN FET 的 10kW 單相串式逆變器設(shè)計方案
隨著全球?qū)δ茉纯沙掷m(xù)性和能源安全的關(guān)注度不斷提升，儲能系統(tǒng)的需求在住宅太陽能裝置等領(lǐng)域呈現(xiàn)出加速增長的態(tài)勢。在當(dāng)前市場上，存在功率高達 2kW 且?guī)в屑墒絻δ芟到y(tǒng)...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2025-07-16 閱讀：419 關(guān)鍵詞：逆變器
納芯微高壓半橋驅(qū)動NSD2622N：為E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案
納芯微發(fā)布專為增強型GaN設(shè)計的高壓半橋驅(qū)動芯片NSD2622N，該芯片集成正負(fù)壓穩(wěn)壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強驅(qū)動能力，可以顯著簡化GaN驅(qū)動電路設(shè)計，提升系統(tǒng)可靠性并降低系統(tǒng)成本。 應(yīng)用背景 ...
時間：2025-06-04 閱讀：1355 關(guān)鍵詞：納芯微
雙向 GaN 開關(guān)：單級 BDS 轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換
例如，典型的交流/直流電動汽車車載充電器（OBC）實施了一個初始的功率因數(shù)校正（PFC）階段和一個后續(xù)的 DC/DC 階段，該階段由笨重的“DC-link”電容器緩沖。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)...
基于GAN的高頻LLC共振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計注意事項
憑借具有更高功率，較小尺寸和較高效率的清晰趨勢，高頻LLC諧振轉(zhuǎn)換器是行業(yè)中孤立的DC/DC拓?fù)涞挠形Φ慕鉀Q方案，例如筆記本電腦適配器（> 75W），1KW-3KW數(shù)據(jù)中心...
分類：電源技術(shù) 時間：2025-04-02 閱讀：1253 關(guān)鍵詞：LLC共振轉(zhuǎn)換器
足夠的故障檢測響應(yīng)時間約為 2 μs [2]，該時間決定了電源開關(guān)所需的短路耐壓時間 （SCWT） 額定值（即，在源極和漏極之間施加高電壓和高電流的情況下，器件可以承受短路事...
使用GAN的汽車降壓/反向提升轉(zhuǎn)換器可高效48 V發(fā)電
在設(shè)計汽車轉(zhuǎn)換器時，尺寸，成本和可靠性是關(guān)鍵因素。為了滿足這些標(biāo)準(zhǔn)，最簡單的雙向拓?fù)洌贿x擇同步的降壓/反向提升轉(zhuǎn)換器。最大化能源效率也是至關(guān)重要的，在這里，設(shè)計...
分類：汽車電子/智能駕駛 時間：2025-03-26 閱讀：751 關(guān)鍵詞：轉(zhuǎn)換器
使用5V門驅(qū)動器，可用的最大電阻值為1.2、4.8、8或12MΩ，請參見下表 - 操作最高為125°C。包裝是VQFN16，WLCSP22，WLCSP16或WLCSP12。 該公司稱，他們“支持移動設(shè)備和筆記本電腦中的過電壓保護，負(fù)載開關(guān)和電池...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2025-03-19 閱讀：490 關(guān)鍵詞：GAN功率晶體管
電動車設(shè)計師的目的是使電動汽車更輕，更自動，并且通過提供更多功率，降低系統(tǒng)尺寸并最大程度地減少散熱的場所，并使用較小的電池。 通過在電力轉(zhuǎn)換，高頻切換和熱管理...
分類：汽車電子/智能駕駛 時間：2025-02-28 閱讀：587 關(guān)鍵詞：GAN ADVANTS EV電源
由于GAN的高開關(guān)速度，寄生電感 與老化功率MOSFET相比，在較高的頻率下使用GAN的能力使寄生電感在功率轉(zhuǎn)化電路中的降解作用焦點[1]。這種電感阻礙了GAN額外的開關(guān)功能的...
步驟 1 – 柵極驅(qū)動器選擇 驅(qū)動 GaN 增強型高電子遷移率晶體管 (E-HEMT) 的柵極與驅(qū)動硅 (Si) MOSFET 的柵極有相似之處，但也有一些有益的區(qū)別。 驅(qū)動 GaN E-HEMT 并...
第一代 AI PSU：采用相同架構(gòu)，功率更高，約 5.5–8 kW，50 V輸出，277 V交流，單相 目前的AI服務(wù)器PSU大多遵循ORv3-HPR標(biāo)準(zhǔn)。在該標(biāo)準(zhǔn)中，大多數(shù)規(guī)格，包括輸入和輸出...
光伏優(yōu)化器使用 eGaN FET 和專用 ASIC 控制器
第一種配置是微型逆變器，它為安裝中的每個面板使用逆變器，確保每個面板都能發(fā)揮其全部能源潛力。第二個是串式逆變器，它將多個面板連接在一起并向中央逆變器供電。然而，...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-11-27 閱讀：782 關(guān)鍵詞： ASIC 控制器
使用雙向 GaN 開關(guān)實現(xiàn)單級功率轉(zhuǎn)換
傳統(tǒng)兩級與單級轉(zhuǎn)換 在傳統(tǒng)的兩級功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中，功率因數(shù)校正（PFC）和DC/DC轉(zhuǎn)換是分開處理的，需要多個組件并導(dǎo)致更高的成本、更大的外形尺寸和更大的復(fù)雜性。 由...
時間：2024-11-27 閱讀：1149 關(guān)鍵詞： GaN 開關(guān)
通過自動動態(tài)開關(guān)測試研究 p-GaN HEMT 上的電應(yīng)力
STS8200 用于動態(tài)測試三個 p-GaN HEMT 器件。這些標(biāo)有 A/B/C 的 650 V 額定器件來自不同制造商，典型室溫導(dǎo)通電阻 (RDSON) 額定值分別為 240 mΩ、130 mΩ 和 40 mΩ。如圖 1 所示的測試電路使用可調(diào)電阻負(fù)載來實現(xiàn)...
分類：電子測量 時間：2024-11-22 閱讀：475 關(guān)鍵詞：開關(guān)測試
結(jié)合 GaN IC 的橫向和垂直幾何形狀 結(jié)合兩全其美是垂直 GaN 功率 IC 開發(fā)背后的座右銘。 橫向 GaN 技術(shù)及其HEMT 設(shè)計徹底改變了電力電子領(lǐng)域，與傳統(tǒng)的硅基功率晶體...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-11-15 閱讀：493 關(guān)鍵詞：GaN
漏極過電壓應(yīng)力 在開關(guān)轉(zhuǎn)換期間，功率轉(zhuǎn)換器中可能會出現(xiàn)漏極過電壓。有多種因素會影響這些過沖的嚴(yán)重程度，包括正在切換的電流的轉(zhuǎn)換率 (dI/dt) 以及與封裝和外部連接...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-10-31 閱讀：577 關(guān)鍵詞：p-GaN HEMT功率器件
保護 USB 端口、不同電源供電的設(shè)備的開關(guān)電路以及高側(cè)負(fù)載開關(guān)免受浪涌影響，都依賴于雙向電壓阻斷和電流傳導(dǎo)。到目前為止，設(shè)計人員只能使用兩個在共源極配置中背對背連...
分類：電源技術(shù) 時間：2024-10-21 閱讀：770 關(guān)鍵詞：BiGaN開關(guān)
共源共柵和 E 模式 GaNFET 的演變和可靠性 共源共柵 GaN 的結(jié)構(gòu)如圖 1 (a) 所示，在共源共柵配置中結(jié)合了低壓常關(guān)硅 MOSFET 和高壓常開 GaN HEMT。該組合有效地產(chǎn)生了增...
分類：電源技術(shù) 時間：2024-10-09 閱讀：776 關(guān)鍵詞： GaNFET
